[发明专利]一种合成低色温暖光的方法和采用该方法的发光装置无效
| 申请号: | 200710103111.5 | 申请日: | 2007-04-21 |
| 公开(公告)号: | CN101050850A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
| 发明(设计)人: | 樊邦弘 | 申请(专利权)人: | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号: | F21V3/04 | 分类号: | F21V3/04;F21S19/00;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 529728广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 合成 色温 方法 采用 发光 装置 | ||
1、一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:先由LED元件(4)发出第一波长光(B),其峰值波长为460~500nm;再用荧光粉(5)吸收一部分所述第一波长光(B)并激发出第二波长光(R),其峰值波长为580~630nm;所述第一波长光(B)的未被吸收部分与第二波长光(R)混合成低色温暖光(W)。
2、根据权利要求1所述的一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述第一波长光(B)的峰值波长为470~480nm,所述第二波长光(R)的峰值波长为600±3nm。
3、根据权利要求1所述的一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述第一波长光(B)的峰值波长为480~490nm,所述第二波长光(R)的峰值波长为610±3nm。
4、根据权利要求1所述的一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述第一波长光(B)的峰值波长为470~480nm,所述第二波长光(R)的峰值波长为590±3nm。
5、根据权利要求1所述的一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述第一波长光(B)的峰值波长为480~495nm,所述第二波长光(R)的峰值波长为600±3nm。
6、根据权利要求1所述的一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述第一波长光(B)的峰值波长为460~470nm,所述第二波长光(R)的峰值波长为590±3nm。
7、根据权利要求1至6所述的任何一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述荧光粉(5)的主要成分的化学式为A2SiO4:Eu2+,D,其中,A为:Sr,Ca,Mg,Zn,Cd,I元素之一,D为F,Cl,Br,I,P,S,N元素之一。
8、一种采用权利要求1所述方法的低色温暖光发光装置,外壳为封装胶体(1),封装胶体(1)内设有电极支架(2),电极支架(2)上安装有LED元件(4),LED元件(4)外覆盖有可受该LED元件(4)所发的光激发的荧光粉(5),其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为460~500nm;所述荧光粉(5)的受激发光峰值波长为580~630nm。
9、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为470~480nm;所述荧光粉(5)的受激发峰值波长为600±3nm。
10、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为480~490nm;所述荧光粉(5)的受激发峰值波长为610±3nm。
11、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为470~480nm;所述荧光粉(5)的受激发光峰值波长为590±3nm。
12、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为480~495nm;所述荧光粉(5)的受激发峰值波长为600±3nm。
13、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为460~470nm;所述荧光粉(5)的受激发峰值波长为590±3nm。
14、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述电极支架(2)上设置一杯体(21),所述LED元件(4)设置在所述杯体(21)内。
15、根据权利要求14所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述杯体(21)与电极支架(2)为一体结构。
16、根据权利要求15所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述杯体(21)内壁构成聚光杯。
17、根据权利要求14至16所述的任何一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述荧光粉(5)集中在所述杯体(21)内覆盖所述LED元件(4)。
18、根据权利要求8至16所述的任何一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述荧光粉(5)混合在封装胶体(1)内。
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