[发明专利]一种合成低色温暖光的方法和采用该方法的发光装置无效

专利信息
申请号: 200710103111.5 申请日: 2007-04-21
公开(公告)号: CN101050850A 公开(公告)日: 2007-10-10
发明(设计)人: 樊邦弘 申请(专利权)人: 鹤山丽得电子实业有限公司
主分类号: F21V3/04 分类号: F21V3/04;F21S19/00;F21Y101/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 529728广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 合成 色温 方法 采用 发光 装置
【权利要求书】:

1、一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:先由LED元件(4)发出第一波长光(B),其峰值波长为460~500nm;再用荧光粉(5)吸收一部分所述第一波长光(B)并激发出第二波长光(R),其峰值波长为580~630nm;所述第一波长光(B)的未被吸收部分与第二波长光(R)混合成低色温暖光(W)。

2、根据权利要求1所述的一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述第一波长光(B)的峰值波长为470~480nm,所述第二波长光(R)的峰值波长为600±3nm。

3、根据权利要求1所述的一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述第一波长光(B)的峰值波长为480~490nm,所述第二波长光(R)的峰值波长为610±3nm。

4、根据权利要求1所述的一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述第一波长光(B)的峰值波长为470~480nm,所述第二波长光(R)的峰值波长为590±3nm。

5、根据权利要求1所述的一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述第一波长光(B)的峰值波长为480~495nm,所述第二波长光(R)的峰值波长为600±3nm。

6、根据权利要求1所述的一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述第一波长光(B)的峰值波长为460~470nm,所述第二波长光(R)的峰值波长为590±3nm。

7、根据权利要求1至6所述的任何一种合成低色温暖光的方法,其特征在于:所述荧光粉(5)的主要成分的化学式为A2SiO4:Eu2+,D,其中,A为:Sr,Ca,Mg,Zn,Cd,I元素之一,D为F,Cl,Br,I,P,S,N元素之一。

8、一种采用权利要求1所述方法的低色温暖光发光装置,外壳为封装胶体(1),封装胶体(1)内设有电极支架(2),电极支架(2)上安装有LED元件(4),LED元件(4)外覆盖有可受该LED元件(4)所发的光激发的荧光粉(5),其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为460~500nm;所述荧光粉(5)的受激发光峰值波长为580~630nm。

9、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为470~480nm;所述荧光粉(5)的受激发峰值波长为600±3nm。

10、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为480~490nm;所述荧光粉(5)的受激发峰值波长为610±3nm。

11、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为470~480nm;所述荧光粉(5)的受激发光峰值波长为590±3nm。

12、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为480~495nm;所述荧光粉(5)的受激发峰值波长为600±3nm。

13、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述LED元件(4)的发光峰值波长为460~470nm;所述荧光粉(5)的受激发峰值波长为590±3nm。

14、根据权利要求8所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述电极支架(2)上设置一杯体(21),所述LED元件(4)设置在所述杯体(21)内。

15、根据权利要求14所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述杯体(21)与电极支架(2)为一体结构。

16、根据权利要求15所述的一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述杯体(21)内壁构成聚光杯。

17、根据权利要求14至16所述的任何一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述荧光粉(5)集中在所述杯体(21)内覆盖所述LED元件(4)。

18、根据权利要求8至16所述的任何一种低色温暖光发光装置,其特征在于:所述荧光粉(5)混合在封装胶体(1)内。

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