[发明专利]具渐变式超晶格结构的太阳电池

权利要求书

1.一种太阳电池，包括：

底部电池，位于基板上；

中间电池，在该底部电池上，其中该中间电池包括依序堆叠的背面电场、基极、渐变式超晶格结构、射极以及透光层；

顶部电池，在该中间电池上，其中该顶部电池包括依序堆叠的背面电场、基极、射极以及透光层；

至少二层穿隧接面层，分别位在该底部电池与该中间电池之间以及在该中间电池与该顶部电池之间；

底部接触层，在该基板之下；以及

顶部接触层，在该顶部电池上；

抗反射层，在未被该顶部接触层覆盖的该顶部电池上，

其中，该渐变式超晶格结构为砷化镓/砷化镓铟渐变式超晶格结构，其是通过增加砷化镓/砷化镓铟中的铟的含量来达成该渐变式超晶格结构。

2.如权利要求1所述的太阳电池，其中该基板的材料至少包括锗。

3.如权利要求1所述的太阳电池，其中该底部电池包括锗底部电池。

4.如权利要求1所述的太阳电池，其中该顶部电池的材料包括磷化镓铟。

5.如权利要求1所述的太阳电池，其中该中间电池的该背面电场的材料包括磷化镓铟。

6.如权利要求1所述的太阳电池，其中该中间电池的该基极的材料包括砷化镓。

7.如权利要求1所述的太阳电池，其中该中间电池的该射极的材料包括砷化镓。

8.如权利要求1所述的太阳电池，其中该中间电池的该透光层的材料包括磷化镓铟。

9.如权利要求1所述的太阳电池，其中该些穿隧接面层的材料包括砷化镓或磷化镓铟。

10.如权利要求1所述的太阳电池，其中该顶部电池的该背面电场层的材料包括磷化铝镓铟。

11.如权利要求1所述的太阳电池，其中该顶部电池的该透光层的材料包括磷化铝铟。

12.如权利要求1所述的太阳电池，其中该顶部电池的该基极的材料包括磷化铟镓。

13.如权利要求1所述的太阳电池，其中该顶部电池的该射极的材料包括磷化铟镓。

14.如权利要求1所述的太阳电池，其中该顶部接触层包括n型掺杂接触层。

15.如权利要求14所述的太阳电池，其中该顶部接触层的材料至少包括锗/金/镍/金。

16.如权利要求1所述的太阳电池，其中该底部接触层包括p型掺杂接触层。

17.如权利要求16所述的太阳电池，其中该底部接触层的材料至少包括钛/铂/金。

18.一种太阳电池，包括：

至少一堆叠式pn结结构；以及

当该至少一堆叠式pn结结构的数目超过1，还包括位于每一堆叠式pn结结构与相邻的堆叠式pn结结构之间的穿隧接面层，其中

在该至少一堆叠式pn结结构中的一个堆叠式pn结结构至少包括：

p型半导体层；

n型半导体层；以及

渐变式超晶格结构，位于该p型半导体层与该n型半导体层之间，

其中该渐变式超晶格结构的能隙是介于0.95eV和1.0eV之间，

其中，该渐变式超晶格结构为砷化镓/砷化镓铟渐变式超晶格结构，其是通过增加砷化镓/砷化镓铟中的铟的含量来达成该渐变式超晶格结构。

19.如权利要求18所述的太阳电池，其中该些穿隧接面层的材料包括砷化镓或磷化镓铟。

20.如权利要求18所述的太阳电池，其中该p型半导体层的材料包括砷化镓。

21.如权利要求18所述的太阳电池，其中该n型半导体层的材料包括砷化镓。

22.如权利要求18所述的太阳电池，其中具有该渐变式超晶格结构的该堆叠式pn结结构还包括：

透光层，位于该n型半导体层上；以及

背面电场，位于该p型半导体层下。

23.如权利要求22所述的太阳电池，其中该背面电场的材料包括磷化镓铟。

24.如权利要求22所述的太阳电池，其中该透光层的材料包括磷化镓铟透光层。