[发明专利]改善非易失性存储器的数据保存的方法及装置

权利要求书

1.一种非易失性存储集成电路，包括：

多个非易失性存储单元；

产生参考电流的参考电流电路，所述参考电流包括：

标准参考电流，与具有第一高检测区间及第一低检测区间的第一工作区间相关联；

第一监控参考电流，与第二工作区间相关联，所述第二工作区间具有比所述第一高检测区间更窄的第二高检测区间及比所述第一低检测区间更宽的第二低检测区间，所述第一监控参考电流的电流强度小于所述标准参考电流；以及

第二监控参考电流，与第三工作区间相关联，所述第三工作区间具有比所述第一高检测区间更宽的第三高检测区间及比所述第一低检测区间更窄的第三低检测区间，所述第二监控参考电流的电流强度大于所述标准参考电流；

一组或多组感测放大器电路利用所述标准参考电流来检测来自所述多个非易失性存储单元的存储电流，以产生第一结果，与以下两者的至少一个作比较：与利用所述第一监控参考电流以产生的第二结果，及与利用所述第二监控参考电流以产生的第三结果；以及

比较逻辑，用于比较所述第一结果与所述第二结果及所述第三结果中的至少一个，

其中，如果所述比较的结果为不匹配，则存储器将了解所述存储单元的存储块需要执行更新。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中所述一组或多组感测放大器包括一组感测放大器以检测来自所述非易失性存储单元的存储电流，与所述标准参考电流，以及与所述第一监控参考电流及所述第二监控参考电流中的至少一个串联。

3.如权利要求1所述的集成电路，其中所述一组或多组感测放大器包括：

第一组感测放大器，利用所述标准参考电流以检测来自所述多个非易失性存储单元的所述存储电流；以及

第二组感测放大器，利用所述第一监控参考电流及所述第二监控参考电流中的至少一个以检测来自所述多个非易失性存储单元的存储电流。

4.如权利要求1所述的集成电路，其中所述一组或多组感测放大器包括：

第一组感测放大器，利用所述标准参考电流以检测来自所述多个非易失性存储单元的所述存储电流；

第二组感测放大器，利用所述第一监控参考电流以检测来自所述非易失性存储单元的所述存储电流；以及

第三组感测放大器，利用所述第二监控参考电流以检测来自所述非易失性存储单元的所述存储电流。

5.如权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

集成电路的外部可存取接触点，其具有：

显示所述集成电路处于使用中的输出状态。

6.如权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

集成电路的第一外部可存取接触点，所述第一外部可存取接触点至少指示所述集成电路是否在使用中以确定有必要进行更新；及

集成电路的第二外部可存取接触点，所述第二外部可存取接触点至少指示所述集成电路是否准备妥当以接收新指令或进行更新。

7.如权利要求1所述的集成电路，其中所述多个非易失性存储单元具有少于0.7V的电荷损失边缘。

8.如权利要求1所述的集成电路，其中所述多个非易失性存储单元具有为0.2V的电荷损失边缘。

9.如权利要求1所述的集成电路，其中所述多个非易失性存储单元具有少于0.4V的循环边缘。

10.如权利要求1所述的集成电路，其中所述多个非易失性存储单元是多电平单元。

11.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一结果控制应以所述第二结果或所述第三结果中哪一个与所述第一结果作比较，以确定是否需要更新所述至少一个非易失性存储单元。

12.如权利要求1所述的集成电路，其中：  

如果利用所述标准参考电流检测来自所述多个非易失性存储单元的存储电流所得的所述第一结果为高阈值电压，则所述第一结果与所述第二结果作比较，以及

如果利用所述标准参考电流检测来自所述多个非易失性存储单元的存储电流所得的所述第一结果为低阈值电压，则所述第一结果与所述第三结果作比较。

13.如权利要求12所述的集成电路，其中所述标准参考电流控制数据多路复用器以选择所述第二结果或所述第三结果。