[发明专利]用于确定辐射强度的方法、装置和系统

权利要求书

1.一种确定辐射强度的方法，包括：

提供半导体器件，其具有硅台以及沿该硅台的至少三个侧壁的光栅导体材料；

在该硅台中形成耗尽区；以及

响应于入射该半导体器件的辐射，在该半导体器件中产生信号，该信号具有与该辐射强度相关的强度。

2.如权利要求1所述的方法，其中在该硅台中形成所述耗尽区包括在该硅台的整个空间中形成所述耗尽区。

3.如权利要求2所述的方法，其中在该硅台中形成所述耗尽区包括：

使用沿所述硅台的第一侧壁的光栅导体材料，使得在所述硅台的和所述第一侧壁相邻的部分中形成第一栅极诱导耗尽区；以及

使用沿所述硅台的第二侧壁的光栅导体材料，使得在所述硅台的和所述第二侧壁相邻的部分中形成第二栅极诱导耗尽区，并且第二栅极诱导耗尽区和第一栅极诱导耗尽区合并。

4.如权利要求2所述的方法，其中在该硅台中形成所述耗尽区包括在该硅台的整个深度中形成所述耗尽区。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体器件还包括：

传输栅极；以及

收集扩散区；并且

该方法还包括将所述信号通过传输栅极从所述硅台传输到收集扩散区。

6.如权利要求1所述的方法，其中响应于入射该半导体器件的辐射在该半导体器件中产生所述信号包括：

在所述硅台中产生多个电子/空穴对；以及

使所述多个电子/空穴对中的每一对中的电子和空穴漂移分开，使得在该半导体器件中产生所述信号。

7.一种用于确定辐射强度的装置，包括：

半导体器件，其具有：

硅台；以及

沿该硅台的至少三个侧壁的光栅导体材料；

其中，调适半导体器件，使得：

在该硅台中形成耗尽区；以及

响应于入射该半导体器件的辐射，在该半导体器件中产生信号，其中该信号具有与该辐射强度相关的强度。

8.如权利要求7所述的装置，其中该半导体器件被进一步调适以在该硅台的整个空间中形成所述耗尽区。

9.如权利要求8所述的装置，其中该半导体器件被进一步调适为：

使用沿所述硅台的第一侧壁的光栅导体材料，使得在所述硅台的和所述第一侧壁相邻的部分中形成第一栅极诱导耗尽区；以及

使用沿所述硅台的第二侧壁的光栅导体材料，使得在所述硅台的和所述第二侧壁相邻的部分中形成第二栅极诱导耗尽区，并且第二栅极诱导耗尽区和第一栅极诱导耗尽区合并。

10.如权利要求8所述的装置，其中该半导体器件被进一步调适以在该硅台的整个深度中形成所述耗尽区。

11.如权利要求7所述的装置，其中：

所述半导体器件还包括：

传输栅极；以及

收集扩散区；并且

该半导体器件被进一步调适为将所述信号通过传输栅极从所述硅台传输到收集扩散区。

12.如权利要求7所述的装置，其中该半导体器件被进一步调适为：

在所述硅台中产生多个电子/空穴对；以及

使所述多个电子/空穴对的每一对中的电子和空穴漂移分开，使得在该半导体器件中产生所述信号。

13.如权利要求7所述的装置，其中所述硅台的顶面是暴露的。

14.如权利要求7所述的装置，其中所述硅台的深度为1000nm。

15.如权利要求7所述的装置，其中所述硅台中的p型掺杂剂的浓度为1×10¹⁵cm^-3。

16.一种用于确定辐射强度的系统，包括：

衬底；以及

在该衬底上形成的至少一个半导体器件，该半导体器件具有：

硅台；以及

沿该硅台的至少三个侧壁的光栅导体材料；

其中，调适半导体器件以：

在该硅台中形成耗尽区；以及

响应于入射该半导体器件的辐射，在该半导体器件中产生信号，其中该信号具有与该辐射强度相关的强度。