[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，隔着势垒金属膜，将金属膜埋入在绝缘膜上开口的连接孔的内部，且在所述绝缘膜上形成所述连接孔之后，在将所述势垒金属膜堆积到所述连接孔的内部之前，包含以下步骤：(a)将半导体晶圆放置到第1腔室所具有的晶圆载物台上的步骤；(b)通过设置在所述晶圆载物台上方的喷头来供给等离子激发后的还原气体，对所述连接孔的内部进行干洗处理的步骤；(c-1)使所述半导体晶圆从所述晶圆载物台上升，并使所述半导体晶圆的主面接近所述喷头；(c-2)以利用了所述喷头的加热温度的第1温度来对所述半导体晶圆进行热处理的步骤；(d)将所述半导体晶圆从所述第1腔室搬运到第2腔室的步骤；以及(e)在所述第2腔室中，以高于所述第1温度的第2温度来对所述半导体晶圆进行热处理的步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第1温度是100至150℃。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第2温度是150至400℃。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第2温度是165至350℃。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第2温度是180至220℃。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第2温度是200℃。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

利用真空搬运，在所述第1腔室与所述第2腔室之间搬运所述半导体晶圆。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述金属膜是钨膜，所述势垒金属膜是在钛膜上堆积氮化钛膜而成的积层膜、或者氮化钨膜。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述金属膜是铜膜，所述势垒金属膜是氮化钛膜、氮化钽膜、在氮化钽膜上堆积钽膜而成的积层膜、或者在氮化钽膜上堆积钌膜而成的积层膜。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述金属膜是铝膜，所述势垒金属膜是在钛膜上堆积氮化钛膜而成的积层膜、或者氮化钨膜。