[发明专利]被动冷却型太阳能聚光光电装置有效
| 申请号: | 200710101752.7 | 申请日: | 2007-05-08 |
| 公开(公告)号: | CN101075646A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
| 发明(设计)人: | 戴维·K·福克;斯蒂芬·J·霍恩 | 申请(专利权)人: | 索尔福克斯股份有限公司;(施乐公司)帕洛阿尔托研究中心股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/052;H01L31/024;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 被动 冷却 太阳能 聚光 光电 装置 | ||
1、一种聚光光电装置,包括:
固体的透光的光学元件,其包括相对的第一表面和第二表面、并包括一焦点,该光学元件所接收的光被会聚到该焦点;
散热器,包括覆盖该光学元件的焦点而设置的中心部,以及一个或多个从该中心部在该第一表面上延伸的外围部;
光电电池,设置在散热器的中心部上;以及
其中,所述散热器具有从该中心部向该外围部延伸的侧向热阻,
所述光学元件具有从该第一表面向该第二表面延伸的截面热阻,并且
所述截面热阻大于所述侧向热阻。
2、根据权利要求1所述的聚光光电装置,其特征在于,所述散热器包括一个或者多个金属镀层,而所述光电电池与所述一个或者多个金属镀层电连接。
3、根据权利要求1所述的聚光光电装置,其特征在于,
所述光学元件包括相对较大的凸面,该凸面限定了中心第一侧区,以及相对的上面形成有孔的表面和相对较小的曲面,该相对较小的曲面位于该上面形成有孔的表面的中心部;
所述中心第一侧区包括一凹腔;以及
该光电电池设置在该凹腔中、位于散热器的中心部和光学元件的邻近表面的之间。
4、根据权利要求3所述的聚光光电装置,其特征在于,进一步包括设置在凹腔中的在该光电电池和所述光学元件的邻近表面之间的透明粘合剂。
5、根据权利要求3所述的聚光光电装置,其特征在于,进一步包括:设置在所述凸面和所述散热器的外围部之间的主镜,以及设置在所述曲面上的二级镜,其中,设置所述主镜和二级镜使得通过上面形成有孔的表面进入到光学元件的光线会聚到该中心第一侧区,从而该会聚的光在所述中心第一侧区产生热量。
6、根据权利要求5所述的聚光光电装置,其特征在于,所述主镜和所述二级镜包括分别直接形成在所述凸面和所述曲面上的反射镜膜。
7、一种制造聚光光电装置的方法,包括:
形成一固体的透光的光学元件,该光学元件具有限定了中心第一侧区的相对较大的凸面、以及相对的上面形成有孔的表面和被限定在该上面形成有孔的表面的中心部的相对较小的曲面;
形成一散热器,所述散热器包括覆盖光学元件的中心第一侧区而设置的中心部,以及从该中心部延伸的外围部;
将散热器安装到光学元件上,使得外围部共形地设置在该凸面上;以及
将光电电池安装到散热器的中心部,
其中,将散热器安装到光学元件包括在中心第一侧区内设置光电电池,
其中,所述散热器具有从该中心部向该外围部延伸的侧向热阻,所述光学元件具有从该第一表面向该第二表面延伸的截面热阻,并且所述截面热阻大于所述侧向热阻。
8、根据权利要求7所述的方法,其特征在于,进一步包括:在将散热器安装到光学元件之前,将外围部分割为多个径向指状物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尔福克斯股份有限公司;(施乐公司)帕洛阿尔托研究中心股份有限公司,未经索尔福克斯股份有限公司;(施乐公司)帕洛阿尔托研究中心股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710101752.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





