[发明专利]熔丝结构的操作方法

权利要求书

1.一种结构操作方法，包括：

提供一种结构，包括

(a)导电层，

(b)在导电层上面的第一电介质区和第二电介质区，

(c)位于第一和第二电介质区上的悬空而不接触导电层的N个导电区，其中所述N个导电区是N个碳纳米管，

其中N是正整数且N大于1，

其中N个导电区电连接到一起，

其中N个导电区的N个导电区段具有不同的长度，

其中N个导电区段不与第一和第二电介质区以及导电层直接物理接触；以及

使N个导电区段的第一导电区段接触导电层，而不使其余的N-1个导电区段接触导电层，

其中第一导电区段是N个导电区段中的最长导电区段。

2.根据权利要求1的方法，其中所述的使N个导电区段的第一导电区段接触导电层包括在导电层和N个导电区段之间施加第一电压，

其中第一电压足够高以使N个导电区段的第一导电区段接触导电层。

3.根据权利要求1的方法，其中导电层包括选自包括铜、铝和钨的组的导电材料。

4.根据权利要求1的方法，其中第一和第二电介质区包括二氧化硅。

5.根据权利要求1的方法，

其中所述结构还包括埋置在第一电介质区内的催化剂区，以及

其中N个导电区电耦接到催化剂区。

6.根据权利要求5的方法，其中所述结构还包括：

(i)第一接触区，

其中第一接触区在第一电介质区中并且与催化剂区直接物理接触；以及

(ii)第二接触区，

其中第二接触区在第二电介质区中并且与导电层直接物理接触。

7.根据权利要求1的方法，还包括在所述使N个导电区段的第一导电区段接触导电层之后，使导电层从其余的N-1个导电区电分离。

8.根据权利要求7的方法，其中所述使导电层与其余的N-1个导电区电分离包括熔断第一导电区段。

9.根据权利要求8的方法，其中所述熔断第一导电区段包括在导电层和N个导电区段之间施加第二电压，导致第一导电区段被熔断，

其中所述第二电压不够高而无法在第一导电区段被熔断之后使其余N-1个导电区的任意一个接触导电层。

10.根据权利要求8的方法，其中包括在所述的熔断第一导电区段之后，再次在导电层和N个导电区段之间施加第一电压，以使其余的N-1个导电区段的第二导电区段接触导电层，

其中第二导电区段是其余的N-1个导电区段中的最长导电区段。

11.一种结构操作方法，包括：

提供一种结构，包括

(a)导电层，

(b)悬空而不接触导电层的N个导电区，其中所述N个导电区是N个碳纳米管，

其中N是正整数且N大于1，

其中N个导电区电连接到一起；以及

使N个导电区的第一导电区接触导电层，而不使其余的N-1个导电区接触导电层。

12.根据权利要求11的方法，其中所述的使N个导电区的第一导电区接触导电层包括在导电层和N个导电区之间施加第一电压，

其中第一电压足够高以使N个导电区的第一导电区接触导电层。

13.根据权利要求12的方法，其中所述施加第一电压包括将电源的两个电极经由与电源串联的电阻器施加到导电层和N个导电区，使得当第一导电区接触导电层时，流过第一导电区的产生电流不能熔断第一导电区。

14.根据权利要求11的方法，

其中所述结构还包括催化剂区，以及

其中N个导电区电耦接到催化剂区。

15.根据权利要求11的方法，还包括在所述使N个导电区的第一导电区接触导电层之后，使导电层从其余的N-1个导电区电分离。

16.根据权利要求15的方法，其中所述使导电层从其余的N-1个导电区电分离包括熔断第一导电区。