[发明专利]具有带突出部的尾屏蔽件的垂直磁记录写头及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710101230.7 申请日: 2007-04-24
公开(公告)号: CN101064109A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 唐纳德·G·艾伦;阿曼达·贝尔;迈克尔·费尔德鲍姆;萧文千;弗拉迪米尔·尼基汀;阿伦·彭特克;凯塔林·彭特克 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/23 分类号: G11B5/23;G11B5/187
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张波
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 具有 突出 屏蔽 垂直 记录 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于磁化磁记录层的数据道中的区域的垂直磁记录写头,包括:

磁写极,具有面对所述记录层的基本平坦的末端、以及基本垂直于沿道方向取向且具有用于定义写极道宽的跨道方向宽度的基本直的尾边缘,所述磁写极被非磁材料部分包围;

尾屏蔽件,具有与所述写极末端基本共面的末端,所述尾屏蔽件具有与所述写极尾边缘间隔开的基本梯形的突出部,所述突出部具有面对所述写极尾边缘且宽度基本等于所述写极尾边缘的前边缘、以及显著宽于所述写极尾边缘的后边缘;以及

非磁间隙材料层,填充所述写极尾边缘与所述尾屏蔽件突出部前边缘之间的空间,所述非磁间隙材料是与部分包围所述写极的所述非磁材料不同的材料。

2.如权利要求1的写头,其中所述非磁间隙材料是导电金属。

3.如权利要求2的写头,其中所述非磁间隙材料选自Ta、Rh和Ir构成的组。

4.如权利要求2的写头,其中部分包围所述写极的所述非磁材料主要包括氧化铝。

5.如权利要求2的写头,其中所述非磁间隙材料层具有约20至60nm范围的厚度。

6.如权利要求1的写头,其中所述梯形尾屏蔽件突出部具有带有凸曲率的前边缘。

7.一种制造具有写极和带突出部的尾屏蔽件的垂直磁记录写头的方法,包括:

在衬底上沉积用于所述写极的具有所需厚度的磁写极材料层;

在所述写极层上沉积薄的非磁掩模膜;

在所述掩模膜上形成图案化的抗蚀剂层;

将所述掩模膜和所述写极层基本蚀刻至所述衬底从而在所述图案化的抗蚀剂层覆盖的区域中留下具有掩模膜的所述写极;

用非磁填充材料覆盖所述图案化的抗蚀剂层以及下面的掩模膜和写极;

去除部分所述填充材料,留下填充材料至比所述写极厚度大的厚度;

去除所述抗蚀剂层从而在所述残余的填充材料中留下暴露所述掩模膜和下面的写极的开口;

蚀刻所述掩模膜和所述掩模膜边缘处的填充材料从而基本去除全部所述掩模膜并加宽所述开口;

沉积非磁材料间隙层到所述加宽的开口中以及所述残余的填充材料之上;以及

在所述间隙层之上沉积磁尾屏蔽件材料层,所述尾屏蔽件材料在所述加宽的开口内的部分形成通过所述间隙层与下面的写极间隔开的尾屏蔽件突出部。

8.如权利要求7的方法,其中形成在所述加宽的开口中的所述尾屏蔽件突出部具有基本梯形的形状。

9.如权利要求8的方法,其中所述尾屏蔽件突出部具有面对所述写极的前边缘,所述前边缘具有轻微的凸曲率。

10.如权利要求7的方法,其中沉积薄非磁掩模膜包括沉积薄氧化铝膜。

11.如权利要求7的方法,其中沉积所述间隙层包括在所述写极上直接沉积选自Ta、Rh和Ir构成的组的材料。

12.如权利要求7的方法,其中蚀刻所述掩模膜和所述掩模膜边缘处的填充材料包括CHF3中的反应离子束蚀刻RIBE从而去除所述掩模膜而不破坏下面的写极材料。

13.如权利要求7的方法,其中离子研磨所述掩模膜和残余的填充材料包括以基本垂直的入射角度进行离子研磨。

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