[发明专利]具有变阻元件的半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括：

作为串联的变阻元件和转换元件的存储单元；

与转换元件的控制终端相连的读字线；

执行自动关闭操作的电路，使读字线自动地在从读操作开始的固定周期后受到非激活；

冗余单元；以及

输出击中信号以选择存储单元和冗余单元之一的冗余电路，

其中击中信号不通过自动关闭操作复位。

2.根据权利要求1的半导体存储器，其中写操作在读操作开始后开始。

3.根据权利要求2的半导体存储器，其中写操作的执行独立于自动关闭操作。

4.根据权利要求1的半导体存储器，其中固定周期的起始是执行地址转换的时间点。

5.根据权利要求1的半导体存储器，其中固定周期基于读出放大器的激活信号来决定。

6.根据权利要求1的半导体存储器，其中所述电路包括决定固定周期的定时器。

7.根据权利要求1的半导体存储器，其中半导体存储器符合SRAM规范，在该规范中在执行地址转换时，操作转向读操作。

8.根据权利要求1的半导体存储器，其中半导体存储器符合DRAM规范，该规范中芯片具有待命状态或激活状态。

9.根据权利要求1的半导体存储器，其中变阻元件为磁阻元件。

10.一种半导体存储器，包括：

作为变阻元件的存储单元；

与存储单元相连的读线；

连接于读线与读出放大器之间的转换元件；

与转换元件的控制终端相连的列选择线；

执行自动关闭操作的电路，该操作用于使列选择线自动在从读操作开始的固定周期后受到非激活；

冗余单元；以及

输出击中信号以选择存储单元和冗余单元之一的冗余电路，

其中击中信号不通过自动关闭操作复位。

11.根据权利要求10的半导体存储器，其中写操作在读操作开始后开始。

12.根据权利要求11的半导体存储器，其中写操作的执行独立于自动关闭操作。

13.根据权利要求10的半导体存储器，其中固定周期的起始为执行地址转换的时间点。

14.根据权利要求10的半导体存储器，其中固定周期基于读出放大器激活信号来决定。

15.根据权利要求10的半导体存储器，其中所述电路包括决定固定周期的定时器。

16.根据权利要求10的半导体存储器，其中半导体存储器符合SRAM规范，在该规范中在执行地址转换时，操作转向读操作。

17.根据权利要求10的半导体存储器，其中半导体存储器符合DRAM规范，在该规范中，芯片具有待命状态或激活状态。

18.根据权利要求10的半导体存储器，其中变阻元件为磁阻元件。