[发明专利]复合半导体装置、LED打印头及图像形成设备有效
| 申请号: | 200710101102.2 | 申请日: | 2007-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN101064330A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
| 发明(设计)人: | 荻原光彦;藤原博之;鹭森友彦;猪狩友希 | 申请(专利权)人: | 日本冲信息株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;B41J2/435;G03G15/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘杰;刘宗杰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 复合 半导体 装置 led 打印头 图像 形成 设备 | ||
1.一种复合半导体装置,包括:
半导体层(20),包括发光元件(28,228,362,412);
衬底(101),其上形成有所述半导体层和驱动器电路,所述驱动器 电路驱动所述发光元件;
形成于所述衬底(101)上的连接焊盘(103,330),通过引线键合的 所述连接焊盘形成电连接;以及
挡光层(130,230,370,420,451),形成于所述发光元件和所述 连接焊盘之间的区域内,所述挡光层(130,230,370,420,451)具有 一定的高度,使得所述挡光层防止从所述发光元件发出的光到达连接 到所述连接焊盘的引线的顶部,所述引线的顶部是引线离连接焊盘和 引线之间的连接点最远的部分。
2.根据权利要求1的复合半导体装置,其中所述连接焊盘(103) 为多个连接焊盘之一,所述驱动器电路为多个驱动器电路之一。
3.根据权利要求1的复合半导体装置,其中不透明膜(235)形成 于所述挡光层(230)和所述发光元件(228)之间的区域内,所述不透明 膜(235)对于从所述发光元件发出的光的波长是不透明的。
4.根据权利要求3的复合半导体装置,其中所述不透明膜(235) 由金属材料形成。
5.根据权利要求3的复合半导体装置,其中所述不透明膜(235) 覆盖所述发光元件的发光区域的一部分。
6.根据权利要求3的复合半导体装置,其中绝缘膜(207)形成于 所述不透明膜下方。
7.根据权利要求6的复合半导体装置,其中所述绝缘膜(207)由 有机材料形成。
8.根据权利要求1的复合半导体装置,其中所述挡光层(130)为 绝缘膜。
9.根据权利要求8的复合半导体装置,其中所述绝缘膜为有机膜。
10.根据权利要求1的复合半导体装置,其中不透明膜(255)形成 于所述挡光层(230)上,所述不透明膜(255)对于从所述发光元件发出 的光的波长是不透明的。
11.根据权利要求10的复合半导体装置,其中所述不透明膜为金 属层。
12.根据权利要求1的复合半导体装置,其中所述半导体层(20) 连接到电极,其中所述电极置于所述挡光层(230)和所述发光元件之 间,所述电极的一部分(326a)延伸阻挡从所述发光元件发出的光。
13.根据权利要求1的复合半导体装置,其中所述挡光层(130) 为黑色。
14.根据权利要求1的复合半导体装置,其中所述半导体层为单 晶半导体层。
15.根据权利要求1的复合半导体装置,其中所述发光元件为多 个发光元件之一;
其中所述挡光层(451)沿一行发光元件(412)延伸,且呈梳状,具 有从所述发光部分延伸于第二导电类型侧的所述电极(416)上的指状 物(451a),使得在相邻指状物(451a)之间定义狭缝(451b),所述指状 物(451a)宽度大于所述狭缝(451b)。
16.根据权利要求1的复合半导体装置,其中所述半导体层是薄 膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





