[发明专利]存储器件以及半导体器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

薄膜晶体管；以及

具有存储单元的存储单元阵列，

其中，所述存储单元包括：

具有彼此邻接的n型杂质区域和p型杂质区域的第一半导体膜；

形成在所述第一半导体膜上并连接到所述n型杂质区域及所述p型杂质区域中的任何一方的第一导电膜；

形成在所述第一导电膜上的第二导电膜；以及

夹在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间的具有空穴传输特性或电子传输特性的有机化合物层，

其中，所述存储单元的所述第一半导体膜与所述薄膜晶体管的第二半导体膜形成在相同的绝缘表面上。

2.一种存储器件，包括：

n沟道型薄膜晶体管；

p沟道型薄膜晶体管；以及

具有存储单元的存储单元阵列，

其中，所述存储单元包括：

具有彼此邻接的n型杂质区域和p型杂质区域的第一半导体膜；

形成在所述第一半导体膜上并连接到所述n型杂质区域及所述p型杂质区域中的任何一方的第一导电膜；

形成在所述第一导电膜上的第二导电膜；以及

夹在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间的具有空穴传输特性或电子传输特性的有机化合物层，

其中，所述存储单元的所述第一半导体膜与所述n沟道型薄膜晶体管的第二半导体膜及所述p沟道型薄膜晶体管的第三半导体膜形成在相同的绝缘表面上。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中在所述存储单元的所述第一半导体膜的所述n型杂质区域中的n型杂质的浓度等于形成在所述n沟道型薄膜晶体管的所述第二半导体膜的n型杂质区域中的n型杂质的浓度。

4.根据权利要求2所述的存储器件，其中在所述存储单元的所述第一半导体膜的所述p型杂质区域中的p型杂质的浓度等于形成在所述p沟道型薄膜晶体管的所述第三半导体膜的p型杂质区域中的p型杂质的浓度。

5.一种半导体器件，包括：

具有存储单元的存储单元阵列；

用于将数据写入到所述存储单元阵列及将数据从所述存储单元阵列读出的电路；

天线；以及

信号处理电路，其中所述信号处理电路处理由所述天线接收的信号并向所述天线提供信号，

其中，所述存储单元包括：

具有彼此邻接的n型杂质区域和p型杂质区域的第一半导体膜；

形成在所述第一半导体膜上并连接到所述n型杂质区域及所述p型杂质区域中的任何一方的第一导电膜；

形成在所述第一导电膜上的第二导电膜；以及

夹在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间的具有空穴传输特性或电子传输特性的有机化合物层，

其中，所述信号处理电路包括n沟道型薄膜晶体管、p沟道型薄膜晶体管及电容器，以及

其中，所述存储单元的所述第一半导体膜与所述n沟道型薄膜晶体管的第二半导体膜、所述p沟道型薄膜晶体管的第三半导体膜及所述电容器的第四半导体膜形成在相同的绝缘表面上。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中在所述存储单元的所述第一半导体膜的所述n型杂质区域中的n型杂质的浓度等于形成在所述n沟道型薄膜晶体管的所述第二半导体膜的n型杂质区域中的n型杂质的浓度。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中在所述存储单元的所述第一半导体膜的所述p型杂质区域中的p型杂质的浓度等于形成在所述p沟道型薄膜晶体管的所述第三半导体膜的p型杂质区域中的p型杂质的浓度。