[发明专利]充电电路、过电压保护电路无效

专利信息
申请号: 200710100907.5 申请日: 2007-04-28
公开(公告)号: CN101071950A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 名手智;山本勋;堀内幸人 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H3/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽;李晓舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 充电 电路 过电压 保护
【权利要求书】:

1.一种充电电路,根据来自外部电源的电源电压而对电池充电,其特征在于,它包括:

充电晶体管,其设置在从所述外部电源对所述电池的充电路径上;

充电控制电路,调节所述充电晶体管的导通状态,从而调节对所述电池供给的充电电流;以及

电压调节电路,其设置在从所述外部电源对所述充电控制电路的电源端子的电力供给的路径上,生成电压降,

所述充电控制电路包括:

箝位电路,将该充电控制电路的电源端子的电压箝位至规定的箝位电压以下;以及

电流调节电路,调节所述充电晶体管的导通状态,以使所述电池的电压接近规定的电压值。

2.如权利要求1所述的充电电路,其特征在于,所述电压调节电路是电阻。

3.如权利要求1所述的充电电路,其特征在于,

所述电压调节电路包括:

保护晶体管,其设置在从所述外部电源至所述充电控制电路的电源端子的电力供给的路径上;以及

电阻,其设置在连接到所述外部电源的所述保护晶体管的端子和所述保护晶体管的控制端子间,

所述箝位电路通过将所述保护晶体管的控制端子的电压箝位至规定的阈值电压以下,从而将所述充电控制电路的电源端子的电压箝位至所述箝位电压以下。

4.如权利要求3所述的充电电路,其特征在于,

所述保护晶体管是NPN型双极晶体管,其发射极连接到所述充电控制电路的电源端子侧,集电极连接到所述外部电源,

所述电阻被设置在所述保护晶体管的集电极和作为控制端子的基极间。

5.如权利要求3或4所述的充电电路,其特征在于,

还包括在所述保护晶体管的控制端子和固定电压端子间所设置的电容器。

6.如权利要求1至3任何一项所述的充电电路,其特征在于,

所述箝位电路在箝位了所述充电控制电路的电源端子的电压的状态中,将从所述外部电源供给到所述电池的充电电流断路。

7.如权利要求6所述的充电电路,其特征在于,

还包括充电停止开关,该开关设置在从所述外部电源对所述电池的充电电流的路径上,

所述箝位电路在箝位了所述充电控制电路的电源端子的电压的状态中,使所述充电停止开关截止。

8.一种电子设备,其特征在于,它包括:

电池;以及

根据来自外部电源的电源电压而对所述电池充电的权利要求1至3任何一项所述的充电电路。

9.一种过电压保护电路,内置在半导体集成电路中,将供给到该半导体集成电路的电源端子的电源电压箝位至规定的箝位电压以下,其特征在于,它包括:

第1箝位电路和第1开关,它们串联设置在所述半导体集成电路的电源端子和固定电压端子间;

基准电压源,其生成规定的基准电压;以及

比较器,其将与供给到所述电源端子的电源电压对应的电压与所述基准电压进行比较,

所述比较器在与所述电源电压对应的电压比所述基准电压高时,将所述第1开关导通。

10.如权利要求9所述的过电压保护电路,其特征在于,

还包括电流电压变换电路,其将包含所述第1箝位电路和所述第1开关的路径中流过的电流变换为电压,

变换后的电压超过规定的阈值电压时,停止所述半导体集成电路的一部分功能。

11.如权利要求9或10所述的过电压保护电路,其特征在于,

还包括第2箝位电路和第2开关,它们串联设置在与所述第1开关至所述固定电压端子的路径并联的路径上,

所述基准电压源通过供给到所述半导体集成电路的所述电源电压低,在所述规定的基准电压不能输出的状态中输出作为规定电平的低电压检测信号,

所述第2开关在所述低电压检测信号为所述规定电平的期间导通。

12.如权利要求9或10所述的过电压保护电路,其特征在于,

所述第1箝位电路包含二极管。

13.如权利要求9或10所述的过电压保护电路,其特征在于,

所述第1开关是P沟道MOSFET。

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