[发明专利]一种非易失性存储器及其设计方法无效
| 申请号： | 200710099806.0 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101315935A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 朱一明 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 100084北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 及其 设计 方法 | ||
1.一种非易失性存储器，包括提供源极、漏极和浮栅的多层，该多层包含为存储器提供互连线的多层金属层。其中至少两层金属层电容性耦合，为浮栅提供电容。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述电容为控制栅。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括通孔，用于连接两层以上用来形成电容器的金属层。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，多层金属层之间电性绝缘。
5.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其特征在于，所述控制栅包括多个电容。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其特征在于，所述多个电容由两层以上的金属层形成。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括另一个电容，该电容由另一金属层与多层金属层中的一层形成，该电容与其它多层金属层形成的电容耦合。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储器，其特征在于，所述浮栅和多个电容器耦合。
9.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，该存储器采用P型金属氧化物半导体晶体管或N型金属氧化物半导体晶体管。
10.一种非易失性存储器设计方法，其特征在于，包括：
提供形成源极、漏极和浮栅的多层，该多层包含为存储器提供互连线的多层金属层。其中至少两层金属层电容性耦合，为浮栅提供电容。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：提供用于连接至少两层金属层的通孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
