[发明专利]光刻定位自组装填充方法

权利要求书

1.光刻定位自组装填充方法，其特征在于包括下列步骤：

(1)设计列阵型微区掩模，根据设计结果制作出列阵型微区掩模板，每个微区均用坐标值定位；

(2)选取基底材料，在基底材料表面旋涂抗蚀剂；

(3)采用制作的阵型微区掩模板对抗蚀剂进行曝光，显影后即可获得抗蚀剂材质的微浮雕结构，根据目标浮雕结构的深度确定需要施加的曝光量，以及显影液浓度、显影时间参数，通过曝光、显影首先在抗蚀剂表面获得定位微区结构；

(4)通过进一步溶液腐蚀，将抗蚀剂图形转移到基底材料上，最终制作出定位微区模版；

(5)利用定位微区模版的坐标定位功能，采用纳升级移液器在定位微区模版坐标值对应的微区里自组装聚苯乙烯纳米球，形成单层聚苯乙烯纳米球结构；

(6)将已组装了单层聚苯乙烯纳米球结构的定位微区模版低温18～21℃干燥后放入真空镀膜系统的工作腔，在高真空4.0×10^-4Pa下，在定位微区模版表面沉积一层银膜；

(7)去除聚苯乙烯纳米球自组装层，仅留下球与球的间隙处的金属，得到阵列化的金属纳米列阵结构。

2.根据权利要求1所述的光刻定位自组装填充方法，其特征在于：所述步骤(1)中采用激光直写机制作列阵型微区掩模板，激光直写机的分辨率大于0.5微米。

3.根据权利要求1所述的光刻定位自组装填充方法，其特征在于：所述步骤(2)中的基底材料采用镀铬硅酸盐玻璃。

4.根据权利要求1所述的光刻定位自组装填充方法，其特征在于：所述步骤(2)中抗蚀剂型号为AZ3100的正性光致抗蚀剂。