[发明专利]大面积微纳结构软压印方法

权利要求书

1.大面积微纳结构软压印方法，其特征在于步骤如下：

(1)首先采用光刻方法在第一硬质基片表面加工需要微纳图形结构，作为硬质模板；

(2)在加工完成的所述硬质模板表面涂预聚的有机材料PDMS，完成软质模板的制作；

(3)将软质模板的非图形面黏附于经过双面抛平的第二基片表面；

(4)将黏附有软质模板的第二基片放置在旋转设备的吸盘上，并在软质模板的结构面滴加有机材料抗蚀剂进行旋涂，通过调节旋涂速度实现后续工艺中压印有机材料抗蚀剂底胶厚度的控制以及底胶一致性的控制；

(5)准备经过抛光的第三基片作为微纳图形承载片，将旋涂完后被有机材料抗蚀剂填充的软质模板从第二基片表面取下，并将软质模板的结构面与第三基片的抛光面进行紧密接触；

(6)将软质模板从第三基片表面掀掉，有机材料抗蚀剂材质的微纳结构将被遗留在第三基片表面；

(7)对有机材料抗蚀剂结构进行热烘焙固化处理，并通过干法刻蚀工艺即可去除底胶或将微纳图形转移至第三基片表面；

(8)利用软质模板重复步骤(3)-(7)，即可实现快速批量微纳结构的制备。

2.根据权利要求1所述的大面积微纳结构软压印方法，其特征在于：所述的有机材料抗蚀剂采用传统微电子工艺中的光致抗蚀剂代替。

3.根据权利要求1所述的大面积微纳结构软压印方法，其特征在于：所述步骤(1)中的光刻方法为：激光直写、或电子束直写、或聚焦离子束直写。

4.根据权利要求1所述的大面积微纳结构软压印方法，其特征在于：所述步骤(4)中的旋涂速度为500转/分钟-8000转/分钟，旋涂厚度取决于压印有机材料的粘度，为50纳米-2微米。

5.根据权利要求1或2所述的大面积微纳结构软压印方法，其特征在于：所述的旋转设备为可用于液体和胶体甩涂的设备，旋转速度大于1500转/每分钟。

6.根据权利要求1或2所述的大面积微纳结构软压印方法，其特征在于：所述步骤(7)的中的热烘焙温度为60℃～150℃，热烘焙固化时间为1分钟-8个小时。