[发明专利]一种探测闪存物理参数的方法及装置无效

专利信息
申请号: 200710099016.2 申请日: 2007-05-08
公开(公告)号: CN101060014A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 黄磊 申请(专利权)人: 北京中星微电子有限公司
主分类号: G11C16/20 分类号: G11C16/20;G11C29/00
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 代理人: 黄志华
地址: 100083北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 探测 闪存 物理 参数 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及计算机技术领域,尤其涉及一种探测闪存物理参数的方法及装置。

背景技术

闪存的标识(ID)用于标识闪存的型号,由于没有一个标准化的组织存在,所以使用不同厂家生产的闪存,需要按照不同厂家自定义的规范来解析厂家各自生产的ID。

因此,在使用闪存时,需要维护一个庞大的闪存型号数据库,而且,已经出厂的主控芯片无法识别新型闪存,需要更新软件来识别,比如,操作系统Linux下的存储设备接口子系统(MTD,memory technology devices)项目通过内建一个ID列表列举了现在市面上不同厂家生产的闪存的标识和该闪存的物理参数的对照关系,其中,所述闪存的物理参数包括:每个芯片选通(CE)由几个块(Block)组成,每个块由几个页面(Page)组成,每个页面由多少字节组成,每个页面的冗余区(Spare)的大小,一共有多少个CE支持未知的闪存型号。但是,所述列表需要不断更新,对于需要把程序固化在芯片内部的应用,这种方式的局限性就相当大。

综上,现有技术获得闪存物理参数的方法局限性大。

发明内容

本发明提供一种探测闪存物理参数的方法及装置,用以解决现有技术中存在获得闪存物理参数的方法局限性大的问题。

本发明提供的一种探测闪存物理参数的方法包括步骤:

  对闪存的页进行擦除操作后,将一定字节数据写入闪存的页,并读取该页的所述一定字节数据,根据所述读取的数据与所述写入的数据的相同数据的字节数,确定所述闪存的每页最多可以存储的数据的字节数。

在对所述闪存的页进行擦除操作时,每次擦除一定数量的页。

当所述擦除操作失败的次数为偶数时,将一定字节数据写入一所述擦除成功的页,并读取该页的所述一定字节数据,根据所述读取的数据与所述写入的数据的相同数据的字节数,确定所述闪存的每页最多可以存储的数据的字节数。

当第一次所述擦除操作成功时,向所述闪存的第一页写入一定字节数的数据,并从该页读取所述一定字节数据,根据所述读取到的数据与所述写入的数据的相同数据的字节数,确定所述闪存的每页最多可以存储的数据的字节数。

当有两个以上闪存需要探测,并且每个闪存的物理参数都相同时,该方法还包括:

读取每个闪存的标识,根据相同的所述闪存标识的数量,确定有效的芯片选通的数量。

本发明提供的一种探测闪存物理参数的装置包括:

擦除单元,用于对闪存的页进行擦除操作;

探测页大小单元,用于将一定字节数据写入经过所述擦除单元处理后的闪存的页,并读取该页的所述一定字节数据,根据所述读取的数据与所述写入的数据的相同数据的字节数,确定所述闪存的每页最多可以存储的数据的字节数。

所述擦除单元,在对所述闪存的页进行擦除操作时,每次擦除一定数量的页。

所述探测页大小单元,当所述擦除操作失败的次数为偶数时,将一定字节数据写入一所述擦除成功的页,并读取该页的所述一定字节数据,根据所述读取的数据与所述写入的数据的相同数据的字节数,确定所述闪存的每页最多可以存储的数据的字节数。

所述探测页大小单元,当第一次所述擦除操作成功时,向所述闪存的第一页写入一定字节数的数据,并从该页读取所述一定字节数据,根据所述读取到的数据与所述写入的数据的相同数据的字节数,确定所述闪存的每页最多可以存储的数据的字节数。

该装置还包括:

探测有效芯片选通数量单元,用于当有两个以上闪存需要探测,并且每个闪存的物理参数都相同时,读取每个闪存的标识,根据所述闪存标识的相同的数量,确定有效的芯片选通的数量。

本发明通过将一定字节数据写入闪存的页,并读取该页的所述一定字节数据,根据所述读取的数据与所述写入的数据的相同数据的字节数,确定所述闪存的每页最多可以存储的数据的字节数的技术方案,可以探测出各种闪存的物理参数,从而避免了现有技术获得闪存物理参数的方法局限性大的问题。

附图说明

图1为本发明方法实施例的流程示意图;

图2为本发明方法实施例的流程示意图;

图3为本发明方法实施例中探测闪存每个块中包括的页的数量的流程示意图;

图4为本发明方法实施例中探测闪存包括的块的数量的流程示意图;

图5为本发明装置实施例的结构示意图。

具体实施方式

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