[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包含：

缓冲层；

在所述缓冲层上的第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上的有源层；和

在所述有源层上的第二导电半导体层，

其中所述缓冲层包含：具有与所述第一导电半导体层的晶格常数之差为5～10％的金属材料的层，以及包含钼、镍和钨中的至少一种金属材料与氮化物并形成在具有所述金属材料的所述层上的金属氮化物层。

2.权利要求1的发光器件，其中所述缓冲层下的衬底包括导电衬底或非导电衬底。

3.权利要求1的发光器件，其中所述缓冲层的所述金属材料是熔点为2000℃或更高的金属。

4.权利要求1的发光器件，其中具有所述金属材料的所述层包含：包含钼、镍和钨中的至少一种金属材料的金属层。

5.权利要求1的发光器件，其中所述金属氮化物层包含具有所述金属材料和氮化物的层，并包含氮化钼、氮化镍和氮化钨中至少一种。

6.权利要求1的发光器件，其中所述第一导电半导体层是n型半导体层。

7.权利要求1的发光器件，包含在所述缓冲层上的未掺杂氮化物层。

8.权利要求1的发光器件，包含在所述第二导电半导体层上形成的第三导电半导体层，所述第三导电半导体层形成为与所述第二导电半导体层极性不同。

9.权利要求1的发光器件，包含：

在所述第一导电半导体层上的第一电极；和

在所述第二导电半导体层上的第二电极。

10.一种发光器件，包含：

包括W、Re、Os、Mo、Nb、Ir、Ru和Ni中的至少一种的金属层；

在所述金属层上的金属氮化物层；

在所述金属氮化物层上的第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上形成的有源层；和

在所述有源层上的第二导电半导体层。

11.权利要求10的发光器件，其中缓冲层的金属材料是熔点为2000℃或更高的金属。

12.权利要求10的发光器件，其中所述金属氮化物层包含氮化钼、氮化镍和氮化钨中的至少一种。

13.权利要求10的发光器件，包含：

在所述金属层下的第一电极；和

在所述第二导电半导体层上的第二电极。

14.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上形成有源层；和

在所述有源层上形成第二导电半导体层，

其中形成所述缓冲层包括：形成具有与所述第一导电半导体层的晶格常数之差为5～10％的金属材料的层，和形成包含钼、镍和钨中至少一种金属材料与氮化物并形成在具有所述金属材料的所述层上的金属氮化物层。

15.权利要求14的方法，其中使用熔点为2000℃或更高的金属，在衬底上将所述缓冲层形成为具有单层或多层结构。

16.权利要求14的方法，其中具有所述金属材料的所述层由包含钼、镍和钨中的至少一种金属材料形成。

17.权利要求14的方法，其中所述金属氮化物层包含氮化钼、氮化镍和氮化钨中的至少一种。

18.权利要求15的方法，其中在所述缓冲层和所述衬底之间形成未掺杂氮化物层。

19.权利要求14的方法，其中所述金属氮化物层通过使所述金属层中使用的金属材料与氨在400～1100℃下反应从而在所述金属层上形成。

20.权利要求14的方法，包括在所述第二导电半导体层上形成透明电极或第三导电半导体层。