[发明专利]红光多阶光存储装置、编解码方法以及装置

权利要求书

1.一种用于红光多阶光存储装置的编码方法，其中，所述红光多阶光存储装置的道间距大于等于0.52微米，其特征在于，包括以下步骤：

采用行分段标记纠错编码对要存入所述红光多阶光存储装置的原始数据进行标记和交织，以得到存储数据，其中，所述行分段标记纠错编码包括：

多个相同的短RS码，其位于行方向上不同段内，用于检测错误和标记错误位置，多个短RS码合作来判定行方向的出错强度；以及

长RS码，其位于列方向上，用于纠正包括短RS码标记错误在内的错误。

2.根据权利要求1所述的编码方法，其特征在于，进行标记和交织编码，包括以下步骤：

将原始数据根据所述红光多阶光存储装置的记录阶数表达要求分成多个数据帧，每个数据帧中按行依次记录数据；

对每个数据帧，在列方向上采用单个长RS码对整列数据进行编码，编码得到的校验数据排列在该行的末尾；

将列编码后各个数据帧中的数据从头到尾逐行抽出，将不同数据帧中同一次抽出的数据行依次顺序排列，交织成一个矩阵；

对所述矩阵在行方向上划分成多个码元段，对每段码元分别采用短RS码在行方向进行编码，编码后的校验数据排列在该段码元的行尾；以及

将行编码后的码元段按原来的次序重新组合成数据簇。

3.根据权利要求2所述的编码方法，其特征在于，对每段码元分别采用短RS码在行方向进行编码时，均匀抽取数据段行方向上的多个码元进行编码。

4.根据权利要求2所述的编码方法，其特征在于，所述长RS码和所述短RS码采用汉明距离不大于3的RS码。

5.一种用于红光多阶光存储装置的解码方法，其中，所述红光多阶光存储装置的道间距大于等于0.52微米，所述红光多阶光存储装置的存储数据采用行分段标记纠错编码对原始数据进行标记和交织而得到，其中，所述行分段标记纠错编码包括：多个相同的短RS码，其位于行方向上不同段内，用于检测错误和标记错误位置，多个短RS码合作来判定行方向的出错强度；以及长RS码，其位于列方向上，用于纠正包括短RS码标记错误在内的错误，其特征在于，包括以下步骤：

将数据簇各行分段，从分段后的各行数据恢复出多个码元段；

对码元段的每行进行短RS码解码，判断是否出错，若出错则标记该行为删除位置；

若四个码元段中的短RS码均出错，则标注所述数据簇的该行出现长突发错误，整行均标记为删除位置；

进行短RS码解码并对错误进行标注后，取出短RS码校正码元所在列，将剩余列数据按序组合形成矩阵，矩阵内相邻奇偶两行数据分别拆出，奇数行和偶数行数据分别组成两个扇区；

对所述扇区进行列方向上的长RS码解码，纠正列方向上的错误，其中，利用短RS码解码给出的标记删除位置信息，以提高纠错效率；

将扇区的各列纠正错误后，取出长RS码校正码元所在行，将剩余各行各列数据恢复为两个数据扇区，各自恢复出数据帧。

6.一种用于红光多阶光存储装置的编码器，其中，所述红光多阶光存储装置的道间距大于等于0.52微米，其特征在于，包括标记和交织模块，用于采用行分段标记纠错编码对要存入所述红光多阶光存储装置的原始数据进行标记和交织，以得到存储数据，其中，所述行分段标记纠错编码包括：多个相同的短RS码，其位于行方向上不同段内，用于检测错误和标记错误位置，多个短RS码合作来判定行方向的出错强度；以及长RS码，其位于列方向上，用于纠正包括短RS码标记错误在内的错误。

7.根据权利要求6所述的编码器，其特征在于，所述标记和交织模块包括：

行记录模块，用于将原始数据根据所述红光多阶光存储装置的记录阶数表达要求分成多个数据帧，每个数据帧中按行依次记录数据；

外码编码模块，用于对每个数据帧，在列方向上采用单个长RS码对整列数据进行编码，编码得到的校验数据排列在该行的末尾；

交织模块，用于将列编码后各个数据帧中的数据从头到尾逐行抽出，将不同数据帧中同一次抽出的数据行依次顺序排列，交织成一个矩阵；

内码编码模块，用于对所述矩阵在行方向上划分成多个码元段，对每段码元分别采用短RS码在行方向进行编码，编码后的校验数据排列在该段码元的行尾；以及

生成模块，用于将行编码后的码元段按原来的次序重新组合成数据簇。