[发明专利]一种温度调节装置及其温度调节方法无效

专利信息
申请号: 200710097950.0 申请日: 2007-04-23
公开(公告)号: CN101145058A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 石巍;王凤彬 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: G05D23/19 分类号: G05D23/19;G05B19/05
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 代理人: 龙洪;霍育栋
地址: 518057广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 温度 调节 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种温度调节装置,包含温度检测单元、风扇以及用于驱动风扇的电源,其特征在于,该装置还包含:系统时钟单元、可编程逻辑单元、MOS管;其中:

所述系统时钟单元用于生成系统时钟信号;

所述可编程逻辑单元用于从所述温度检测单元读取温度值,从所述系统时钟单元获取系统时钟信号,并生成固定调制频率的驱动脉冲信号;其中驱动脉冲信号的驱动信号占空比与温度值相关联;

所述MOS管的栅极接收上述驱动脉冲信号,源级和漏级连接在风扇及电源之间,用于在驱动脉冲信号的控制下周期性地导通或截止风扇和电源之间的电气连接。

2.如权利要求1所述的温度调节装置,其特征在于,该装置还包含电压转换单元,用于将所述可编程逻辑单元输出的驱动脉冲信号的电压转换为可驱动所述MOS管的栅极的导通或截止的工作电压。

3.如权利要求2所述的温度调节装置,其特征在于,所述电压转换单元为光电隔离单元。

4.如权利要求1所述的温度调节装置,其特征在于,所述驱动脉冲信号的调制频率在8至12赫兹之间。

5.如权利要求1所述的温度调节装置,其特征在于,所述MOS管为P沟道MOS管或N沟道MOS管;当使用P沟道MOS管时,对于较高的温度值,驱动信号占空比较低;当使用N沟道MOS管时,对于较高的温度值,驱动信号占空比较高。

6.如权利要求1所述的温度调节装置,其特征在于,所述MOS管的源级与所述电源相连,漏级与所述风扇相连。

7.一种温度调节方法,应用于包含与MOS管的源级和漏级相连的电源和风扇的系统中,该方法包含如下步骤:

a)采集温度数据;

b)根据采集到的温度数据确定所对应的驱动脉冲信号的占空比P;

c)生成固定调制频率且占空比为P的驱动脉冲信号至所述MOS管的栅极,控制所述电源和风扇之间电气连接的导通和截止。

8.如权利要求7所述的温度调节方法,其特征在于,所述MOS管为P沟道MOS管或N沟道MOS管;若采用P沟道MOS管,则在所述步骤b)中,对于较高的温度数据,采用较低的P值;若采用N沟道MOS管,则在所述步骤b)中,对于较高的温度数据,采用较高的P值。

9.如权利要求7所述的温度调节方法,其特征在于,在所述步骤a)之前还包含以下步骤:

采用统计方法确定所述驱动脉冲信号占空比的与温度或温度范围之间的对应关系表;

并且在所述步骤b)中采用上述对应关系表确定P值。

10.如权利要求7所述的温度调节方法,其特征在于,该方法还包含步骤:获取系统时钟信息;所述驱动脉冲信号的调制频率在8至12赫兹之间。

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