[发明专利]有机发光显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710097863.5 申请日: 2007-04-20
公开(公告)号: CN101202329A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 金钟允;崔炳德 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;H05B33/12;H05B33/04;H05B33/10
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;常桂珍
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示器 及其 制造 方法
【说明书】:

本申请参考之前于2006年12月13日在韩国知识产权局提交并由此分配的序号为10-2006-0127290、标题为“有机发光显示器及其制造方法”的申请,将该申请包含于此并要求该申请的所有权益。

技术领域

发明涉及一种有机发光显示器及其制造方法,更具体地讲,本发明涉及一种缩短了制造工艺的时间并能够防止制造工艺期间基底被弯曲和损坏的薄的有机发光显示器。

背景技术

通常,有机发光显示器通过使电流流过荧光或者磷光有机化合物并使电子和空穴彼此复合而自发光。另外,有机发光显示器可以通过电压或者电流来驱动有机发光二极管(例如,n×m个有机发光二极管)来显示图像。

如图1中所示,有机发光二极管具有包括阳极(ITO)、有机薄层和阴极(金属)的基本结构。有机薄层由电子和空穴相遇从而形成激子时发光的发射层(EML)、用于控制电子的移动速度的电子传输层(ETL)、用于控制空穴的移动速度的空穴传输层(HTL)组成。在ETL中还形成电子注入层(EIL),用于提高电子注入的效率;在空穴传输层中还形成空穴注入层(HIL),用于提高空穴注入的效率。

因为有机发光显示器的可视范围宽、响应速度超快以及自发光,所以有机发光显示器决不比其它装置差;由于有机发光显示器的功耗低并且不需要背光,所以有机发光显示器可以制造为薄且重量轻的装置。由于有机发光显示器在低温下制造并且制造工艺简单,所以该装置制造成本低。随着有机薄层材料技术和工艺技术的迅速发展,有机发光显示器被认为是可能代替传统平板显示装置的技术。

同时,由于电子装置(例如,蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、电脑监视器、电视等)已经变得越来越薄,所以需要厚度在大约1mm以下的有机发光显示器。然而,在当前的有机发光显示器中,由于没有有效地开发出可以代替包封技术的保护层技术,所以很难制造厚度在1mm以下的有机发光显示器。

为了制造厚度在1mm以下的有机发光显示器,第2005-340182号、2005-222930号和2005-222789号日本特开公布涉及这样一种有机发光显示器的制造方法,在该方法中,元件层(半导体层和有机发光二极管等)分别形成在两个玻璃基底上,然后将玻璃基底彼此结合,使得相应的元件层彼此面对,接着通过蚀刻或者研磨工艺去除其上没有形成元件层的表面。

然而,上述制造方法的问题在于,因为在各玻璃基底上形成半导体层或者有机发光二极管之后将玻璃基底彼此结合并进行蚀刻或者研磨,所以制造工艺的时间明显增加。另外,这种传统的制造方法的问题在于,因为半成品的玻璃基底彼此结合,在结合过程期间玻璃基底、半导体层和有机发光二极管被损坏,所以产品的良率低并且制造成本高。

可以想到的制造方法是在提供厚度在1mm以下的玻璃基底之后,在玻璃基底的表面上形成元件层。然而,这种制造方法的问题在于因为玻璃基底非常薄,所以在移动过程中玻璃基底弯曲或者与移动装置接触而损坏。

发明内容

构思本发明来解决上述问题,本发明的目的是提供一种薄型有机发光显示器。

本发明的另一目的是防止在制造工艺期间基底弯曲和损坏。

本发明的又一目的是缩短有机发光显示器的制造工艺的时间。

本发明的又一目的是防止在制造工艺期间用于曝光的紫外线不期望地照射到基底上。

为了实现上述目的,根据本发明的有机发光显示器包括:基底,具有布置在其上的支撑件;半导体层,形成在所述基底上;有机发光二极管,形成在所述半导体层上;密封剂,形成在所述基底的与所述发光二极管和所述半导体层的外围对应的外周上;包封基底,附于所述密封剂。

所述支撑件形成在与形成所述半导体层的侧面相同的侧面上。

所述支撑件形成在所述基底的至少一侧附近。

所述支撑件形成在所述有机发光二极管和所述半导体层的外周上。

所述支撑件由从绝缘材料和导电材料中选择的任何一种形成。

所述支撑件形成为比所述密封剂的厚度薄的厚度。

所述支撑件形成为比所述密封剂和所述包封基底的总厚度薄的厚度。

在所述基底中,在与形成有所述支撑件的侧面相对的侧面上形成粘合剂。

所述粘合剂形成在所述基底的至少一侧附近。

所述粘合剂形成在所述有机发光二极管和所述半导体层的外围上。

所述基底形成为面积比所述包封基底的面积大。

形成具有0.05mm~1mm范围内的厚度的所述基底。

所述基底由从玻璃、塑料、聚合物中选择的任何一种形成。

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