[发明专利]平面显示器及其制作方法

权利要求书

1.一种制作平面显示器的方法，该平面显示器包含有多个次像素，该方法包含有：

提供基底；

于该基底上形成非晶硅层；

对该非晶硅层进行第一结晶工艺，使得该非晶硅层形成多晶硅层；

形成图案化的吸收层，覆盖各该次像素的驱动薄膜晶体管的有源区域图案，并暴露出部分该多晶硅层；

对部分暴露的该多晶硅层进行第二结晶工艺，使得该多晶硅层的该部分暴露的晶粒结构不同于所述驱动薄膜晶体管中被所述有源区域图案所覆盖的有源区域的晶粒结构；

移除该图案化的吸收层；以及

移除部分该多晶硅层，以形成各该驱动薄膜晶体管的该有源区域，同时于该多晶硅层的该暴露部分形成各该次像素的开关薄膜晶体管的有源区域；

其中各该有源区域包含有沟道区、源极区以及漏极区。

2.如权利要求1的制作平面显示器的方法，其中该方法另包含有：

依序于该基底上形成栅极介电层以及金属层；以及

移除部分该金属层以形成各该开关薄膜晶体管与驱动晶体管的栅极。

3.如权利要求1的制作平面显示器的方法，其中该平面显示器包含有周边电路区，且该移除部分该多晶硅层的步骤另包含有在该周边电路区之内另形成至少一周边电路驱动薄膜晶体管的有源区域。

4.如权利要求3的制作平面显示器的方法，其中该周边电路区内的该周边电路驱动薄膜晶体管的沟道区的晶粒结构与各该次像素中的该开关薄膜晶体管的该沟道区的该晶粒结构相同。

5.如权利要求1的制作平面显示器的方法，其中该第一结晶工艺包含有固相结晶工艺。

6.如权利要求5的制作平面显示器的方法，其中该固相结晶工艺包含炉管退火工艺、快速热处理工艺或交替磁场结晶工艺。

7.如权利要求1的制作平面显示器的方法，其中该第二结晶工艺包含有准分子激光退火工艺。

8.如权利要求7的制作平面显示器的方法，其中该准分子激光退火工艺包含有固相激光工艺或准分子激光工艺。

9.如权利要求1的制作平面显示器的方法，其中所述驱动薄膜晶体管的所述沟道区的晶粒结构包含树枝状晶粒结构，而所述开关薄膜晶体管的所述沟道区的晶粒结构包含柱状晶粒结构。

10.如权利要求1的制作平面显示器的方法，其中所述驱动薄膜晶体管的所述沟道区的载流子迁移率的标准差小于所述开关薄膜晶体管的所述沟道区的载流子迁移率的标准差。