[发明专利]可热处理的磁控溅射方法制备的低辐射镀膜玻璃

权利要求书

1.一种镀膜玻璃，该镀膜玻璃按如下顺序包括：

1)玻璃基片；

2)在玻璃基片上的第一基层电介质层，所述第一基层电介质层为ZnSnO₃；

3)在第一基层电介质层上的第二基层电介质层，所述第二基层电介质层为TiO₂；

4)在第二基层电介质层上的第一保护阻隔层，所述第一保护阻隔层为镍铬合金层，其组成为NiCr；

5)在第一保护阻隔层上的银层；

6)在银层上的第二保护阻隔层，所述第二保护阻隔层为镍铬合金，其组成为NiCr；

7)在第二保护阻隔层上的第一外层电介质层，所述第一外层电介质层为SnZnO₃；

8)在第一外层电介质层上的第二外层电介质层，所述第二外层电介质层为SiO₂；

9)在第二外层电介质层上的保护阻挡层。

2.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第一基层电介质层的厚度为10-35nm。

3.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第一基层电介质层的厚度为15-30nm。

4.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第一基层电介质层的厚度为20-25nm。

5.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第二基层电介质层的厚度为5-30nm。

6.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第二基层电介质层的厚度为10-25nm。

7.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第二基层电介质层的厚度为15-20nm。

8.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第一保护阻隔层的厚度为1-5nm。

9.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第一保护阻隔层的厚度为2-3nm。

10.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中银层的厚度为8-14nm。

11.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中银层的厚度为10-12nm。

12.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第二保护阻隔层的厚度为2-6nm。

13.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第二保护阻隔层的厚度为3-5nm。

14.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第一外层电介质层的厚度为10-35nm。

15.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第一外层电介质层的厚度为15-30nm。

16.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第一外层电介质层的厚度为20-25nm。

17.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第二外层电介质层的厚度为5-20nm。

18.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中第二外层电介质层的厚度为10-15nm。

19.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中保护阻挡层为Si₃N₄，且该保护阻挡层的厚度为5-35nm。

20.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中保护阻挡层为Si₃N₄，且该保护阻挡层的厚度为10-30nm。

21.根据权利要求1的镀膜玻璃，其中保护阻挡层为Si₃N₄，且该保护阻挡层的厚度为15-25nm。

22.制造如权利要求1所述的镀膜玻璃的方法，该方法按所述顺序包括如下步骤：

1)提供玻璃基片；

2)在玻璃基片上沉积第一基层电介质层，所述第一基层电介质层为ZnSnO₃；

3)在第一基层电介质层上沉积第二基层电介质层，所述第二基层电介质层为TiO₂；

4)在第二基层电介质层上沉积第一保护阻隔层，所述第一保护阻隔层为镍铬合金层，其组成为NiCr；

5)在第一保护阻隔层上沉积银层；

6)在银层上沉积第二保护阻隔层，所述第二保护阻隔层为镍铬合金，其组成为NiCr；

7)在第二保护阻隔层上沉积第一外层电介质层，所述第一外层电介质层为SnZnO₃；

8)在第一外层电介质层上沉积第二外层电介质层，所述第二外层电介质层为SiO₂；

9)在第二外层电介质层上沉积保护阻挡层。