[发明专利]存储元件和存储器无效
| 申请号： | 200710097364.6 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101071628A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 山元哲也;大森广之;细见政功;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 元件 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储元件，包括：
存储层，其基于磁性材料的磁化状态来保持信息，其中，
经由中间层为所述存储层设置磁化固定层；
所述中间层由绝缘体形成；
自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变所述存储层的磁化方向，从而将信息记录在所述存储层中；以及
形成所述存储层的铁磁性层具有1×10-5或更大的磁致伸缩常数。
2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，
形成所述存储层的所述铁磁性层具有150Oe或更大的抗磁力。
3.一种存储器，包括：
存储元件，具有存储层，所述存储层基于磁性材料的磁化状态而保持信息；以及
彼此交叉的两类配线，其中，
所述存储元件具有磁化固定层，所述磁化固定层是经由中间层为所述存储层而设置的；所述中间层由绝缘体形成；
自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变所述存储层的磁化方向，从而将信息记录在所述存储层中；并且
形成所述存储层的铁磁性层具有1×10-5或更大的磁致伸缩常数；
所述存储元件设置在所述两类配线的交叉点附近以及所述两类配线之间，并且
沿所述堆叠方向的电流通过所述两类配线流入所述存储元件中。
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