[发明专利]一种发光二极管光治疗仪

权利要求书

1.一种发光二极管光治疗仪，其特征在于，光治疗仪的探头具有透镜阵列，所述透镜阵列是由多个透镜在同一面板上组成的平面阵列，该含有透镜阵列的面板位于光治疗仪探头的光出射通路上，使光治疗仪内部出射的光经过透镜阵列的作用。

2.如权利要求1所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列至少包括五边形平面阵列，六边形平面阵列，八边形平面阵列和圆形平面阵列。

3.如权利要求2所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列是由30个透镜组成的六边形平面阵列。

4.如权利要求1所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪是将蓝色发光二极管和红色发光二极管相结合作为发光二极管光治疗仪的光源。

5.如权利要求4所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的蓝色发光二极管发射光波长范围是400～420nm，红色发光二极管发射光波长范围是600-850nm。

6.如权利要求1所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，光治疗仪的探头具有光束变形薄膜，该光束变形薄膜位于光治疗仪探头的光出射通路上，用于改变出射光所形成光照处理区域的形状。

7.如权利要求1所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，光治疗仪的探头具有机械瞳孔，该机械瞳孔位于光治疗仪探头的光出射通路上，用于调节出射光所形成光照处理区域的大小。

8.如权利要求1～7中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪具有设定开/关周期和光照射频率的装置。

9.如权利要求8所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的开/关周期的时间部分比例为2∶1～1∶2，频率为0.5赫兹～5赫兹。

10.如权利要求1～7中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪发射光的能量密度为20～200毫瓦/平方厘米。

11.一种发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪是将蓝色发光二极管和红色发光二极管相结合作为发光二极管光治疗仪的光源；

光治疗仪的探头具有下列部件：

透镜阵列，所述透镜阵列是由多个透镜在同一面板上组成的平面阵列，该含有透镜阵列的面板位于光治疗仪探头的光出射通路上，使光治疗仪内部出射的光经过透镜阵列的作用；

光束变形薄膜，该光束变形薄膜位于光治疗仪探头的光出射通路上，从光治疗仪内部出射的光经过光束变形薄膜的作用而得到改变形状的光照处理区域。

12.如权利要求11所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列至少包括五边形平面阵列，六边形平面阵列，八边形平面阵列和圆形平面阵列。

13.如权利要求12所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列是由30个透镜组成的六边形平面阵列。

14.如权利要求11～13中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪具有设定开/关周期和光照射频率的装置。

15.如权利要求14所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的开/关周期的时间部分比例为2∶1～1∶2，光照射频率为0.5赫兹～5赫兹。

16.如权利要求11～13中任意一项所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪发射光的能量密度为20～200毫瓦/平方厘米。

17.一种发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的光治疗仪是将蓝色发光二极管和红色发光二极管相结合作为发光二极管光治疗仪的光源；

光治疗仪的探头具有下列部件：

透镜阵列，所述透镜阵列是由多个透镜在同一面板上组成的平面阵列，该含有透镜阵列的面板位于光治疗仪探头的光出射通路上，使光治疗仪内部出射的光经过透镜阵列的作用；

机械瞳孔，该机械瞳孔位于光治疗仪探头的光出射通路上，用于调节出射光所形成光照处理区域的大小。

18.如权利要求17所述的发光二极管光治疗仪，其特征在于，所述的透镜阵列至少包括五边形平面阵列，六边形平面阵列，八边形平面阵列和圆形平面阵列。