[发明专利]图案化的光提取片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710097142.4 申请日: 2007-04-12
公开(公告)号: CN101064357A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: G·卡纳里昂;D·W·莫斯利 申请(专利权)人: 罗门哈斯公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沙永生
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 图案 提取 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造光提取包封片的方法,该方法包括以下步骤:

A)提供包含聚合包封材料的包封块;

B)在所述包封块的表面上形成具有外部图案化的包封表面的图案化的包封区域,

所述形成图案化的包封区域的步骤包括:

a)形成包括至少一个第一凹陷的第一凹陷组;

b)用第一凹陷填料填充所述第一凹陷;

c)任选地形成包括至少一个第二凹陷的第二凹陷组;

用第二凹陷填料填充所述第二凹陷;

所述第一凹陷组和第二凹陷组中的至少一组具有图案,其中:

所述图案是周期性图案,

所述图案在至少一个横向维度上具有至少为5纳米,且不大于5000微米的特征尺寸;

所述周期性图案在至少一个横向维度上具有至少10纳米,且不大于5000微米的周期;

所述第一凹陷的最大凹陷深度至少为25纳米,且不大于10000微米;

所述第二凹陷的最大凹陷深度至少为25纳米,且不大于10000微米;

所述第一凹陷和第二凹陷中的至少一种具有与所述外部图案化的包封表面相重合的凹陷开口;

所述第一凹陷填料的折射率与所述第二凹陷填料和所述聚合包封材料中至少一种的折射率之差至少为0.001,且不大于3.0。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:

所述图案在至少一个横向维度上的特征尺寸至少为5纳米,且不大于2000纳米;

所述周期性图案在至少一个横向维度上的周期至少为10纳米,且不大于2000纳米。 

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一凹陷填料和所述第二凹陷填料中的至少一种选自GaN、SiC、ZnS、TiO2、GaP或高折射率玻璃。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一凹陷填料和所述第二凹陷填料中的至少一种是包含成孔剂微粒的可固化的乙阶段光学材料,所述微粒的平均粒度至少为5纳米且不大于50纳米,所述可固化的乙阶段光学材料还进行以下步骤的处理:

使所述可固化的乙阶段光学材料固化;

除去所述成孔剂微粒,形成包含孔穴的固化的乙阶段光学材料,

所述孔穴的平均孔径至少为5纳米,且不大于50纳米;

以所述固化的乙阶段光学材料的体积为基准计,所述固化的乙阶段光学材料的孔隙率至少为0.1体积%,且不大于95体积%。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述聚合包封材料是包含孔穴的固化的乙阶段光学材料,所述聚合包封材料通过以下另外的步骤形成:

提供包含成孔剂微粒的可固化的乙阶段光学材料,所述成孔剂微粒的平均粒度至少为5纳米,且不大于50纳米;

对所述可固化的乙阶段光学材料进行成形,使其形成所述包封块所需的形状;

使所述可固化的乙阶段光学材料固化,形成固化的乙阶段光学材料;

除去所述成孔剂微粒,形成所述包含孔穴的固化的乙阶段光学材料,

所述孔穴的平均孔径至少为5纳米,且不大于50纳米;

以所述固化的乙阶段光学材料的体积为基准计,所述固化的乙阶段光

学材料的孔隙率为至少0.1体积%且不大于95体积%。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该方法还包括以下步骤:

C)将所述光提取包封片固定在多层叠层上,

所述多层叠层包括:

n-掺杂层;

光产生层;

p-掺杂层,

所述多层叠层具有发光叠层表面;

所述外部图案化的包封表面位于所述发光叠层表面上; 

所述发光叠层表面的形貌选自平滑表面或图案化的多级表面;

所述图案化的多级表面具有周期性图案;

D)任选地除去所有的或部分的与所述第一凹陷组和所述第二凹陷组中任一种或两种相接触的所述聚合包封材料。

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,

所述多层叠层还包括位于所述发光叠层表面上的高折射率顶层,

在进行所述固定之后,所述高折射率顶层是介于所述外部图案化的包封表面和所述发光叠层之间的插入的高折射率层。

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