[发明专利]退火方法无效
| 申请号： | 200710097035.1 | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101071757A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 十文字正之;松村正清;木村嘉伸;西谷干彦;平松雅人;谷口幸夫;中野文树;小川裕之 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;B23K26/04;B23K26/06;B23K26/067 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新;杨谦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 退火 方法 | ||
1、一种退火方法，其特征在于，具有以下工序：
预先设定有关激光强度及其分布的预定目标的工序、
在激光光源和照射场之间准备光束截面调制部，而且，在上述照射场内准备基片和光束截面测量部并使其可更换的工序、
在上述照射场内布置上述光束截面测量部、从上述光源射出激光、利用上述光束截面调制部调制上述激光的强度及其分布、并利用上述光束截面测量部来测量上述照射场的入射面内的激光强度及其分布的工序、
根据上述测量结果来调整上述光束截面调制部的参数，使上述测量结果与上述设定目标相一致的工序、
把上述基片布置在上述照射场内，使该基片的入射面位于上述照射场的入射面内，并对上述基片和上述光束截面调制部进行定位的工序、以及
当上述测量结果达到与上述设定目标相一致时，把经过上述光束截面调制部进行了调制的激光照射到上述基片上的工序，
通过反复进行上述定位工序和上述激光照射工序，在同一基片内分别制作具有2种以上的平均晶粒直径的半导体层。
2、一种退火方法，其特征在于，具有以下工序：
预先设定有关激光强度及其分布的预定目标的工序；
在激光光源和照射场之间准备光束截面调制部，而且，在上述照射场内准备具有非晶质半导体的基片和光束截面测量部并使其可更换的工序；
在上述照射场内布置上述光束截面测量部、从上述光源射出激光、利用上述光束截面调制部调制上述激光的强度及其分布、并利用上述光束截面测量部来测量上述照射场的入射面内的激光强度及其分布的工序；
根据上述测量结果来调整上述光束截面调制部的参数，使上述测量结果与上述设定目标相一致的工序；
将上述基片配置在上述照射场内，使该基片的入射面位于上述照射场的入射面内，并对上述基片和上述光束截面调制部进行定位的工序；
当上述测量结果与上述设定目标相一致时，向上述非晶质半导体照射由上述光束截面调制部调制的第一光束截面的激光，并形成第一晶粒直径的结晶区域的第一结晶化工序；以及
当上述测量结果与上述设定目标相一致时，向与上述第一晶粒直径的结晶区域不同的部位的上述非晶质硅膜照射由上述光束截面调制部调制的第二光束截面的激光，并形成晶粒直径与上述第一晶粒直径不同的第二晶粒直径的结晶区域的第二结晶化工序，
通过反复进行上述定位工序和上述第一及第二结晶化工序，在同一基片内分别制作具有2种以上的平均晶粒直径的半导体层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社液晶先端技术开发中心，未经株式会社液晶先端技术开发中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710097035.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：波导管接口转接器和制造方法
- 下一篇：用于漂粉精生产的干燥炉
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
