[发明专利]用于保护外涂层的粘合层

权利要求书

1.一种装置，它包括：

金属基材；

位于该金属基材上的无定形粘合层，所述粘合层的厚度小于约8埃，其组成选自碳硅碳化物和碳硅氮化物；和

位于所述粘合层上的DLC保护层。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述DLC层的厚度小于或等于约15埃。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述粘合层的厚度小于约7埃。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述粘合层的厚度小于约6埃。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述粘合层的厚度小于约4埃。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述粘合层的组成为约65-85原子％碳和约15-35原子％硅。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述粘合层的组成为约70-80原子％碳和约20-30原子％硅。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述粘合层的组成为约10-25原子％碳、约30-50原子％硅和约25-55原子％氮。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述粘合层的组成为约15原子％碳、约45原子％硅和约40原子％氮。

10.一种用于读和/或写磁头表面的保护膜，该膜包含：

位于磁头上的无定形粘合层，所述粘合层由Si_aC_bN_c的组合物形成，其中a是约15-50原子％硅、b是约10-85原子％碳、c是0至小于约60原子％氮；和

位于所述粘合层上的DLC保护层。

11.如权利要求10所述的保护膜，其特征在于，所述粘合层的平均厚度约为10-15埃，所述DLC层的平均厚度约为15-20埃，所述保护膜的总厚度小于约30埃。

12.如权利要求10所述的保护膜，其特征在于，所述粘合层的平均厚度约为8-10埃，所述DLC层的平均厚度约为12-15埃。

13.如权利要求10所述的保护膜，其特征在于，所述粘合层的平均厚度小于约6埃，所述DLC层的平均厚度小于或等于约10埃。

14.如权利要求10所述的保护膜，其特征在于，所述组合物包含约20-30原子％硅和约70-80原子％碳。

15.如权利要求10所述的保护膜，其特征在于，所述组合物包含约30-50原子％硅、约10-25原子％碳和约25-55原子％氮。

16.如权利要求15所述的保护膜，其特征在于，所述组合物包含约40-50原子％硅、约15原子％碳和约35-45原子％氮。

17.一种在一金属基材上沉积保护外涂层的方法，该方法包括：

混合多种组分以形成一种无定形粘合剂组合物Si_aC_bN_c，其中a是约15-50原子％硅、b是约10-85原子％碳、c是0至小于约60原子％氮，该组合物具有耐腐蚀性；

将所述粘合剂组合物沉积在所述金属基材的表面上，形成一层薄粘合层；

在所述粘合层上沉积DLC涂层。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述粘合剂组合物包含约65-85原子％碳和约15-35原子％硅。

19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述粘合剂组合物包含约10-25原子％碳、约30-50原子％硅和约25-55原子％氮。

20.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述粘合层的平均厚度小于约8埃。

21.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述DLC涂层的平均厚度小于约15埃。