[发明专利]电路板电性连接垫的导电结构有效

专利信息
申请号: 200710096312.7 申请日: 2007-04-10
公开(公告)号: CN101287331A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 胡文宏;王音统;许诗滨;史朝文 申请(专利权)人: 全懋精密科技股份有限公司
主分类号: H05K1/11 分类号: H05K1/11
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电路板 连接 导电 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电路板电性连接垫的导电结构,特别是涉及一种在电路板表面的各电性连接垫形成有不同导电结构的制法,以连接不同的电子元件。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展,电子产品的外型趋向轻薄短小,在功能上则逐渐迈入高性能、高功能、高速度化的研发方向。而覆晶式(Flipchip)半导体封装技术为一种先进的半导体封装技术,在现行覆晶技术中,是于半导体集成电路(Integrated Circuit;IC)芯片的表面上配置有电极焊垫,并于该电极焊垫上形成有焊锡凸块,且在一有机电路封装基板上形成有相对应的电性连接垫与焊锡凸块,从而提供该芯片以电性接触面朝下的方式设置于该封装基板上。

由于越来越多的产品设计趋向于小型化、高速度、多功能,因此,覆晶技术的应用范围将不断扩大,成为一种标准的芯片封装技术。同时为提升该些电子装置的电性质量,即需于其中设置有例如电阻、电容或电感等被动元件,而该些被动元件同样采用表面黏着技术(SMT)以接置于电路板上,从而使预焊锡凸块与表面黏着型金属连接元件并存于电路板上,且两者所形成的焊锡材料高度及尺寸并不相同,以与该具有不同类型的半导体元件的相配合电性导接。

而目前业界普遍使用化学沈积及模板印刷技术(StencilPrinting Technology)来形成基板上的焊锡材料。

如图1A至图1E所示,主要是于一具有多个电性连接垫201(pad)的电路板20上形成一有机绝缘保护层21(solder mask),该绝缘保护层21经图案化制程而形成多个开孔211以显露出该电性连接垫201(如图1A所示);通过溅镀、蒸镀、无电电镀及化学沈积的一者形成一金属黏着层22(如图1B所示);再以一具有网格23a的模板23于该电路板20的部份电性连接垫201表面的黏着层22以模板印刷方式形成一焊锡材料24(如图1D所示);最后再经由回焊(re-flow)制程以形成预焊锡凸块24’(如图1E所示),从而以在电性连接垫201上形成不同材料的金属黏着层或焊锡材料。

但以模板印刷的方式形成凸块或焊接锡球,形成的厚度越高,于后段的制程中所形成的高度不易控制,导致回焊后的凸块或焊接锡球的高度不平均,而影响其电性连接芯片或印刷电路板。以及于该电路板的电性连接垫上印刷焊锡材料以形成凸块或焊接锡球容易导致回焊制程中过多焊锡材料熔融造成桥接现象及短路问题,而无法提供细间距(Fine Pitch)的电性连接垫。同时大量使用焊锡材料亦面临环保问题。

上述的问题,实已成目前电路板制造业者亟欲改进的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺点,本发明的主要目的是提供一种电路板电性连接垫的导电结构,提供不同的导电结构,以供不同电性连接垫的电性连接使用。

本发明的又一目的是提供一种电路板电性连接垫的导电结构,并可形成细线路间距(Fine pitch)的电性连接结构。

为达到上述及其它目的,本发明的电路板电性连接垫的导电结构的较佳实施,包括:一具有第一及第二表面的电路板,该电路板的第一表面具有多个第一、第二电性连接垫;一金属层,形成于该第一及第二电性连接垫上;一第一连接层,形成于该第一电性连接垫上;以及一第二连接层,形成于该第二电性连接垫上。

上述该金属层是以电镀铜材料所制成,该第一连接层是以电镀金属黏着层所制成,该金属黏着层可选自锡、银、金、锡/银、锡/银/铜、镍/金所组成群组的其中一者。该第二连接层是以电镀焊锡材料所制成,该焊锡材料可选自锡、银、金、铋、铅及锌所组成群组的其中一者。

本发明可在第一电性连接垫上形成金属层及第一连接层,在该第二电性连接垫上形成金属层、第一连接层及第二连接层,而在该第三电性连接垫上形成金属层及第一连接层。此外,前述制程亦可视需要直接电镀形成导电结构,而无需形成金属层,如此即可提供不同电性连接的使用需求。

且该第一电性连接垫表面是以电镀的方式形成金属黏着层作为第一连接层,连接表面黏着型元件,该第二电性连接垫表面是以电镀的方式形成焊锡材料作为第一连接层与第二连接层,以连接半导体芯片,而第三电性连接垫表面是以电镀的方式形成金属黏着层作为第一连接层,以作为该电路板的球垫(ball pad)。因电镀制程是以曝光、显影形成阻层开孔,而能克服现有技术模版印刷法在细凸块间距时,即产生的制程瓶颈,且电镀制程可精确控制焊锡材料沉积数量,避免回焊制程中过多焊锡材料熔融造成桥接现象,而可形成细线路间距(Finepitch)的电性连接结构。

附图说明

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