[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体元件，包含有：

半导体基底，其具有第一导电型式；

第一井区，其具有第二导电型式，设置于部分该半导体基底之中；

隔离结构，设置于部分该第一井区的上半部；

漏极区域，设置于该隔离结构一侧的该第一井区之中；

第二井区，设置于该隔离结构相对于该漏极区域的另一侧的部分半导体基底之中，且该第二井区具有该第一导电型式；

源极区域，设置于第二井区之中；以及

具有该第一导电型式的深掺杂区，设置于该第一井区的下半部与该半导体基底的交界处，其中该深掺杂区为重度掺杂，且部分该深掺杂区位于该第一井区的下半部之内，而部分该深掺杂区位于该半导体基底之中。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该隔离结构的下半部为该第一井区所环绕。

3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，另包含有栅极介电层，设置于该隔离结构与该源极区域之间的半导体基底的表面，以及栅极电极，设置于栅极介电层与部分该隔离结构之上。

4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，另包含有具有该第一导电型式的掺杂区，设置于该半导体基底之中并包含该源极区域，以及接触区，设置于该掺杂区之中。

5.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，另包含有具有该第一导电型式的浅掺杂区，设置于该隔离结构下方的该第一井区之内。

6.如权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该浅掺杂区为重度掺杂。

7.如权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该浅掺杂区约略对应于其上方的该隔离结构。

8.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该第一导电型式为P型，而该第二导电型式为N型。

9.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体元件，其中该隔离结构包含有场氧化层。

10.一种制作横向扩散金属氧化物半导体元件的方法，包含有：

提供具有第一导电型式的半导体基底；

于该半导体基底之中形成具有第二导电型式的第一井区；

于部分该第一井区的表面形成隔离结构；

于该隔离结构一侧的半导体基底之中形成具有该第一导电型式的第二井区；以及

于该第一井区与该半导体基底的交界处形成具有该第一导电型式的深掺杂区，其中该深掺杂区为重度掺杂，且部分该深掺杂区位于该第一井区的下半部之内，而部分该深掺杂区位于该半导体基底之中。

11.如权利要求1 0所述的方法，另包含有于形成该深掺杂区之后，在该隔离结构的表面形成栅极电极的步骤。

12.如权利要求11所述的方法，另包含有于形成该栅极电极之后，在该第一井区之中形成漏极区域，以及于第二井区之中形成源极区域的步骤。

13.如权利要求10所述的方法，另包含有于该第一井区之中形成具有该第一导电型式的浅掺杂区的步骤。

14.如权利要求13所述的方法，其中该浅掺杂区为重度掺杂。

15.如权利要求10所述的方法，其中第一导电型式为P型，而第二导电型式为N型。