[发明专利]能隙参考电路

权利要求书

1.一种能隙参考电路，用来产生一能隙电压，该能隙参考电路包含有：

一电流产生器，用来产生一输出电流，该电流产生器包含多个参考单元，该多个参考单元包含一第一参考单元与多个平行的第二参考单元，该电流产生器可依据该多个参考单元决定该输出电流的大小，其中该输出电流的第一部分为具有负温度系数的电流，以及该输出电流的第二部分为具有正温度系数的电流；

一第一电阻，耦接于该第一参考单元的一第一端子与一节点之间，用来传送一第一电流；

一第二电阻，耦接至该节点与每一第二参考单元的一第一端子，用来传送一第二电流；

一第三电阻，耦接于该节点与该能隙参考电路的一输出端子之间，用来传送一第三电流，该第三电流的大小等于该第一电流的大小与该第二电流的大小之和；以及

一电流/电压转换器，耦接至该第三电阻，用来依据该输出电流与该第三电流产生该能隙电压。

2.如权利要求1所述的能隙参考电路，其中该多个参考单元包含有至少一二极管或至少一晶体管。

3.如权利要求2所述的能隙参考电路，其中该多个参考单元包含有该至少一个晶体管，以及该晶体管为双极结型晶体管。

4.如权利要求2所述的能隙参考电路，其中该多个参考单元包含该至少一个晶体管，以及该晶体管为动态域值金属氧化物半导体)晶体管。

5.如权利要求2所述的能隙参考电路，其中该多个参考单元包含该至少一晶体管，以及该晶体管为操作于弱反转区的金属氧化物半导体晶体管。

6.如权利要求1所述的能隙参考电路，其中该多个参考单元中的每一个参考单元包含一第二端子，耦接至一参考电平。

7.如权利要求6所述的能隙参考电路，其中该参考电平为接地电平。

8.如权利要求1所述的能隙参考电路，其中该电流产生器还包含有：

一第四电阻，其包含有一第一端子与一第二端子，该第二端子耦接至每一个第二参考单元的该第一端子；

一放大器，其包含有一正输入端子，耦接至该第四电阻的该第一端子，以及一负输入端子，耦接至该第一参考单元的该第一端子；以及

多个P型金属氧化物半导体晶体管，其中每一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接至该放大器的一输出端子，每一P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接至一操作电压，以及该多个P型金属氧化物半导体晶体管包含有：

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接至该第一参考单元的该第一端子；

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，其漏极耦接至该第四电阻的该第一端子；以及

一第三P型金属氧化物半导体晶体管，其漏极输出该输出电流至该电流/电压转换器。

9.如权利要求1所述的能隙参考电路，其中该第一电阻的电阻值的大小实质上等于该第二电阻的电阻值的大小。

10.如权利要求1所述的能隙参考电路，其中该第一电流与该第二电流均为具有正温度系数的电流。

11.如权利要求1所述的能隙参考电路，其中该输出电流的第一部分与第二部分为同方向的电流。

12.如权利要求1所述的能隙参考电路，其中该输出电流的第一部分的大小实质上等于从该第一端子输入至该第一参考单元的电流的大小，以及该输出电流的第二部分的大小实质上等于该第一电流的大小或该第二电流的大小。

13.如权利要求1所述的能隙参考电路，其中该电流/电压转换器将该输出电流与该第三电流的总电流转换为该能隙电压。

14.如权利要求1所述的能隙参考电路，其中该电流/电压转换器包含有一第一端子，耦接至该第三电阻，以及一第二端子，耦接至一参考电平。

15.如权利要求14所述的能隙参考电路，其中该参考电平为接地电平。

16.如权利要求1所述的能隙参考电路，其中该电流/电压转换器为一电阻。