[发明专利]霓虹灯高频恒流电源变换器

说明书

技术领域

本发明涉及一种霓虹灯电源变换器，具体涉及一种霓虹灯高频恒流电源变换器。

背景技术

常用的霓虹灯电源变换器由于采用电压馈电双变压器拓扑结构(即电压源供电结构)，当变换器在启动或输出开路及输入或输出受到异常干扰时，此类结构无法限止开关管的瞬时过压和过流而会导致变换器的失效。此类结构变换器的运行频率不易设定，且输出为矩型波电压驱动霓虹灯管，这会产生由高次谐波引起的射频电磁干扰(RFI)，此类结构存在以下缺点：

1，输出功率低，使霓虹灯管亮度偏暗；

2，恒流特性差，在驱动不同长度的霓虹灯管时亮度不均匀；

3，电磁干扰偏大，干扰周围的电子设备；

4，保护电路可靠性低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种霓虹灯高频恒流电源变换器，它保护了霓虹灯变换器的电子器件，提高了霓虹灯变换器的可靠性，延长了变换器及霓虹灯管的使用寿命。

为了解决以上技术问题，本发明提供了一种霓虹灯高频恒流电源变换器，包括漏磁变压器，还包括至少一个恒流电感，该恒流电感串联在霓虹灯高频恒流电源变换器的供电回路中，以电流馈电的方式恒流供电。

因为本发明用电流馈电，可使变换器的供电电源具有很高的动态阻抗(近似恒流源)，实时的阻止开关管在变换器启动或输出开路及输入或输出受到异常干扰而导致的瞬时过压和过流，有效提高了变换器的可靠性，延长了霓虹灯的使用寿命。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1为典型的推挽拓扑结构示意图；

图2为典型的半桥拓扑结构示意图；

图3为本发明的电流馈电推挽拓扑结构示意图；

图4为本发明的电流馈电半桥拓扑结构示意图；

图5为本发明的自激式电流馈电并联谐振推挽拓扑结构示意图；

图6为本发明的自激式电流馈电并联谐振半桥拓扑结构示意图；

图7为本发明的他激式电流馈电并联谐振推挽拓扑结构示意图；

图8为本发明的他激式电流馈电并联谐振半桥拓扑结构示意图；

图9为本发明的漏磁变压器的一种结构。

具体实施方式

本发明的霓虹灯电源变换器可以采用推挽拓扑结构或半桥拓扑结构，如图1所示是典型的推挽拓扑结构的示意图，漏磁变压器的初级线圈T1-2带有中心抽头，该中心抽头与直流电源VCC连接，初级线圈T1-2的两端分别连在推挽开关Q1和Q2的漏极上，推挽开关Q1和Q2的源极均接地。如图2所示是典型的半桥拓扑结构的结构示意图，半桥开关Q1的漏极接直流电源VCC，其源极与半桥开关Q2的漏极连接，半桥开关Q2的源极接地，串联的电容C2和C3一端接电源，另一端接地，漏磁变压器的初级线圈T1-2一端接在半桥开关Q1的源极，另一端接在电容C2和C3的连接端。

如图3所示是图1的推挽拓扑结构中串联恒流电感的示意图，恒流电感L1串联在推挽拓扑结构的供电主回路中。

如图4所示是图2的半桥拓扑结构中串联恒流电感的示意图，该结构包括两个恒流电感L1、L2，分别串联在半桥拓扑结构的供电回路的两端。对于本发明的推挽拓扑结构或者半桥拓扑结构均可以采用自激式或他激式驱动电路振荡。

本发明的霓虹灯高频电源变换器串联恒流电感后，还需在供电回路中与恒流电感串联的电路部分的两端并联一个高压吸收电路，用于吸收恒流电感产生的高压反电势。

本发明的霓虹灯高频电源变换器还可以带有一个并联谐振电容，该谐振电容并联在漏磁变压器的初级线圈T1-2的两端，漏磁变压器的初级线圈的分布电容、次级线圈的负载电容折算到其初级线圈端的电容、及谐振电容的并联总电容，与漏磁变压器的初级线圈T1-2构成并联谐振，谐振频率为：

f=12πLC,]]>

上述公式中，f为谐振频率，L为初级线圈的电感量，C为漏磁变压器的初级线圈的分布电容、次级线圈的负载电容折算到其初级线圈端的电容、及谐振电容的并联总电容。