[发明专利]射频功率放大器电路及其控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种模拟电路，尤其涉及一种射频功率放大器电路。本发明还涉及一种射频功率放大器电路的控制方法。

背景技术

GSM(Global System for Mobile communication)是一种TDMA(Time-Division Multiple Access，时分多址)系统，是目前世界上应用最广泛的移动通信标准，在其标准中规定确保来自手机的射频功率界定在分配的时间和通道之中，这种要求被称为“Power Time Mask(功率时间模版)”和“Switching Transients spectrum(开关瞬态谱)”。目的是为了防止当射频功率开或关不能被手机准确控制时，传输脉冲可能在时域或频域超出正常范围而干扰临近的时隙和频率通道。

功率时间模版的规定限定了临近时隙间的最小干扰。开关瞬态谱规定在功率上升(ramp-up)和下降(ramp-down)时间间隔内，不产生超出范围的射频功率。传输信号必须在一个规定的功率和时间限制内。图1所示为GSM典型时间模版，时间模版要求手机必须在28us内开启或关闭它的射频功率。在到达脉冲信号稳定的峰值后，手机有542.8us时间传输信息。当任何输出功率波形落在规定的时间模版外都可能干扰其他在临近时间间隙的手机，甚至扰乱自身分配到的时间间隙。

功率在时间模版内上升或下降的特性定义了开关瞬态特性。如果功率上升或下降波形特别地陡，那么不必要的射频功率可能发射到指定的频道外。因此，为了满足GSM在时间模版和开关瞬态上的要求，现有的技术是在手机设计中应用V_ramp、TXEN和SW控制信号来界定传输的脉冲信号，如图2所示。V_ramp信号是基带电路里DAC(Digital to Analog Converter，数模转换器)的输出信号，用于控制功率放大器PA的输出功率。通常为了减小控制延时对开关瞬态的影响，对V_ramp信号设置一个较低的预开启电压V_offset，当V_ramp大于V_offset时，射频功率放大器工作。TXEN信号控制功率放大器的开启或关闭，通过控制功率放大器的偏置电压V_BIAS实现。SW信号为开关的控制信号。

但是，由于传统的控制方式通过TXEN信号直接控制V_BIAS，当TXEN置高时，功率放大器V_BIAS开启。在V_ramp小于V_offset时，即放大器预开启状态时，射频功率放大器未工作，但此时由于V_BIAS已开启，导致功率放大器的隔离度很差，仍有部分射频信号通过功率放大器泄漏至输出端，功率值会高达-25dBm以上。因此，采用现有方法，射频功率放大器在预开启状态时的隔离度较差，射频信号泄漏比较大，如果泄漏的射频信号较大，超出开关瞬态谱的界定范围，则功率放大器可能干扰其他在临近时间间隙的手机，使其无法正常工作。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种射频功率放大器电路以及一种射频功率放大器电路的控制方法，能够使射频功率放大器在预开启状态时具有较好的隔离度，减小射频信号的泄漏，从而提高射频功率放大器的性能。

为解决上述技术问题，本发明射频功率放大器电路的技术方案是，包括射频功率放大器，所述射频功率放大器连接有一个功率控制模拟信号V_ramp，所述V_ramp信号还连接到一个与门的输入端，偏置电路开关控制信号TXEN连接到所述与门的另一个输入端，与门的输出端作为偏置信号V_BIAS的开关控制信号。

本发明还提供了一种射频功率放大器电路的控制方法，其技术方案是，当V_ramp信号和TXEN信号同时有效时，所述偏置信号V_BIAS开启，使射频功率放大器正常工作；当V_ramp信号和TXEN信号至少有一个无效时，所述偏置信号V_BIAS关断，使射频功率放大器停止工作。

本发明通过将V_ramp信号和TXEN信号进行与运算之后共同控制射频功率放大器的开关，避免了预开启状态时射频信号的泄漏，具有较好的隔离度，提高了射频功率放大器的性能。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明：