[发明专利]化学机械抛光中凹陷现象检测单元、制作方法及检测方法

权利要求书

1.一种化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在经化学机械抛光后的图形衬底表面生长检测层；所述检测层包括导电层；

在检测层表面生长覆盖层；

对覆盖层表面进行化学机械抛光处理，至除去图形衬底表面的图形边缘处对应的覆盖层；

采用选择性刻蚀的方法，刻蚀所述导电层的速率大于刻蚀所述覆盖层的速率，在图形衬底表面形成检测单元。

2.根据权利要求1所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述经化学机械抛光后的图形衬底表面的构成材料为单晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、砷化镓、金属或者金属硅化物。

3.根据权利要求1所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述经化学机械抛光后的图形衬底表面的构成材料包括掺杂浓度大于1×10¹⁵cm^-2的硅、掺杂浓度大于1×10¹⁵cm^-2多晶硅、金属或者金属硅化物时，检测层包括介质层与导电层。

4.根据权利要求3所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述介质层的构成材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者氧化铪。

5.根据权利要求3所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述导电层的构成材料为多晶硅、金属或者金属硅化物。

6.根据权利要求1或2所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述经化学机械抛光后的图形衬底表面的构成材料包括掺杂浓度小于1×10¹⁵cm^-2的硅、掺杂浓度小于1×10¹⁵cm^-2多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者氧化铪时，检测层包括导电层。

7.根据权利要求6所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述导电层的构成材料包括多晶硅、金属或者金属硅化物。

8.根据权利要求1所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述覆盖层的构成材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者氧化铪。

9.根据权利要求1所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述检测单元包括条状结构或者彼此交错的梳状结构。

10.根据权利要求1所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述用于形成测试结构的选择性刻蚀所具有的特点包括，刻蚀导电层的速率大于刻蚀覆盖层的速率。

11.根据权利要求1所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述检测单元包括的条状结构，其横向宽度为0.05微米～1微米。

12.根据权利要求1所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述检测单元包括的彼此交错的梳状结构，梳齿的横向间隔距离为0.05微米～5微米。

13.根据权利要求1所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测单元制作方法，其特征在于，所述检测单元包括的彼此交错的梳状结构，每根梳齿的横向宽度为0.05微米～1微米。

14.一种化学机械抛光中凹陷现象的检测方法，其特征在于，采用权利要求1所述的方法制作的化学机械抛光中凹陷现象的检测单元，检测经化学机械抛光后的图形衬底表面是否产生凹陷，检测的方法包括通过测量检测单元的电阻值判断经化学机械抛光后的衬底表面是否产生凹陷。

15.根据权利要求14所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测方法，其特征在于，当检测单元为条状结构时，所述测量检测单元的电阻值的方法具体为测量条状结构两端的电阻值。

16.根据权利要求14所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测方法，其特征在于，当检测单元彼此交错的梳齿结构时，所述测量检测单元的电阻值的方法具体为测量彼此交错的梳齿结构的梳齿之间的电阻值。

17.根据权利要求15或16所述之化学机械抛光中凹陷现象的检测方法，其特征在于，若测量得到的电阻值小于理论计算值，可以判定产生了凹陷现象。