[发明专利]晶圆定位方法有效
申请号: | 200710094549.1 | 申请日: | 2007-12-13 |
公开(公告)号: | CN101459102A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 李健 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 董立闽;李 丽 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 定位 方法 | ||
1.一种晶圆定位方法,其特征在于,包括步骤:
设定待定位晶圆上对准标记的坐标参数,以及所述待定位晶圆的待定位点与所述对准标记间的坐标偏离量;
利用图像获取装置对不同晶圆的对准标记进行分别采样,并对应地生成不同的标记模板;
将待定位晶圆放置到载片台上;
依次利用各个所述标记模板对所述待定位晶圆上的所述对准标记进行识别,直至识别成功为止;
识别成功后,按照所述待定位晶圆上的对准标记的中心定义中心坐标;
根据所述坐标偏离量将该晶圆的所述待定位点转移至所述图像获取装置的检测区域的中心位置;
所述对不同晶圆的对准标记进行分别采样,并对应地生成不同的标记模板,包括步骤:
对具有不同薄膜厚度的各晶圆的对准标记进行分别采样,并依照晶圆上薄膜厚度的不同对应地生成不同的标记模板。
2.如权利要求1所述的定位方法,其特征在于,所述对不同晶圆的对准标记进行分别采样,并对应地生成不同的标记模板,至少包括步骤:
在晶圆中选取薄膜厚度小于的样品,对其上的对准标记进行采样,生成第一标记模板;
在晶圆中选取薄膜厚度介于至之间的样品,对其上的对准标记进行采样,生成第二标记模板。
3.如权利要求2所述的定位方法,其特征在于,依次利用各个所述标记模板对所述待定位晶圆上的所述对准标记进行识别,直至识别成功为止,至少包括步骤:
利用所述第一标记模板对所述待定位晶圆上的对准标记进行识别:如果识别成功,直接进行后面的中心坐标的定义步骤;
如果识别不成功,再利用所述第二标记模板对所述待定位晶圆上的对准标记进行识别,并在识别成功后,进行后面的中心坐标的定义步骤。
4.如权利要求1所述的定位方法,其特征在于:所述待定位晶圆为进行化学机械研磨处理后的晶圆。
5.如权利要求4所述的定位方法,其特征在于:所述待定位点为晶圆上的研磨后晶上圆薄膜厚度检测点。
6.如权利要求1所述的定位方法,其特征在于:生成不同的标记模板时对不同的标记模板分别设置不同的对比度。
7.如权利要求1所述的定位方法,其特征在于:将待定位晶圆放置到载片台上之后,还包括步骤:
依照所述待定位晶圆边缘的缺口位置对所述待定位晶圆的位置进行预调整;
根据所述坐标参数将待定位晶圆上的对准标记移至图像获取装置的检测区域的中心位置附近。
8.如权利要求1所述的定位方法,其特征在于:所述步骤均在计算机控制下自动完成。
9.如权利要求1所述的定位方法,其特征在于:所述待定位点为晶圆上的检测点。
10.如权利要求1所述的定位方法,其特征在于:所述待定位点为光刻起始点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造