[发明专利]刻蚀方法和双镶嵌结构的形成方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，且在所述衬底上具有介质层；

在所述介质层上定义刻蚀图形，所述介质层为黑钻石层；

利用第一刻蚀气体对所述介质层进行第一刻蚀；

利用第二刻蚀气体对所述介质层进行第二刻蚀，且所述第二刻蚀气体产生的聚合物少于第一刻蚀气体。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述第一刻蚀气体包含C₄F₈和O₂。

3.如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于：所述C₄F₈和O₂的流量比在4∶1至2∶1之间。

4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述第二刻蚀气体包含C₄F₈和O₂。

5.如权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于：所述C₄F₈和O₂的流量比在3∶2至1∶1之间。

6.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述第一刻蚀气体与第二刻蚀气体中包括CH₂F₂。

7.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述第一刻蚀气体与第二刻蚀气体中包括氩气。

8.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述第一刻蚀与第二刻蚀的功率在2000至2500W之间。

9.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述第一刻蚀与第二刻蚀的腔室压力在20至80mTorr之间。

10.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述第一刻蚀的刻蚀时间与第二刻蚀的刻蚀时间比在1∶2至2∶1之间。

11.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底； 

在所述衬底上形成刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成通孔图形；

利用第一刻蚀气体对所述第一介质层进行第一刻蚀；

利用第二刻蚀气体对所述第一介质层进行第二刻蚀，以形成通孔，且所述第二刻蚀气体产生的聚合物少于第一刻蚀气体；

在所述第一介质层上及通孔内形成第二介质层；

在所述第二介质层上形成沟槽图形；

刻蚀形成与至少一个通孔相连的沟槽。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一介质层为黑钻石层。

13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一刻蚀气体包含C₄F₈和O₂。

14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于：所述C₄F₈和O₂的流量比在4∶1至2∶1之间。

15.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第二刻蚀气体包含C₄F₈和O₂。

16.如权利要求15所述的形成方法，其特征在于：所述C₄F₈和O₂的流量比在3∶2至1∶1之间。

17.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一刻蚀气体与第二刻蚀气体中包括CH₂F₂。

18.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一刻蚀气体与第二刻蚀气体中包括氩气。

19.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一刻蚀与第二刻蚀时的功率在2000至2500W之间。

20.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一刻蚀与第二刻蚀时腔室的压力在20至80mTorr之间。