[发明专利]进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法无效
申请号: | 200710094540.0 | 申请日: | 2007-12-13 |
公开(公告)号: | CN101457350A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 赵星;赵金柱;李春龙 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 董立闽;李 丽 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 低压 化学 沉积 设备 方法 | ||
1、一种进气装置,用于向炉管内通入气体,所述进气装置包括主管,至少两个与外部气路相连的分管,以及连接主管与各所述分管的连接部分,其特征在于:所述主管由炉管之内延伸至炉管之外,所述分管及连接部分均位于炉管之外。
2、如权利要求1所述的进气装置,其特征在于:所述连接部分包括三通管接头。
3、如权利要求2所述的进气装置,其特征在于:所述主管、分管与所述三通管接头间利用软管相连。
4、如权利要求1或3所述的进气装置,其特征在于:各所述分管分别与单向阀相连。
5、如权利要求1或3所述的进气装置,其特征在于:各所述分管由金属材料制成。
6、如权利要求1或3所述的进气装置,其特征在于:所述主管为石英管。
7、如权利要求1所述的进气装置,其特征在于:所述炉管具有炉管底座,在所述主管与所述炉管底座的相交处具有环形垫圈,且所述环形垫圈位于所述炉管底座的外边缘之内。
8、如权利要求1所述的进气装置,其特征在于:所述炉管具有炉管底座,且所述炉管底座内具有冷却装置。
9、如权利要求8所述的进气装置,其特征在于:在所述主管与所述炉管底座的相交处具有环形垫圈,且所述环形垫圈与所述冷却装置相邻。
10、一种低压化学气相沉积设备,包括炉管和炉管底座,所述炉管内还具有进气装置,该进气装置包括主管,至少两个与外部气路相连的分管,以及连接主管与各所述分管的连接部分,其特征在于:所述主管由炉管之内延伸至炉管之外,所述分管及连接部分均位于炉管之外。
11、如权利要求10所述的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述连接部分包括三通管接头。
12、如权利要求11所述的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述主管、分管与所述三通管接头间利用软管相连。
13、如权利要求10或12所述的低压化学气相沉积设备,其特征在于:各所述分管分别与单向阀相连。
14、如权利要求10或12所述的低压化学气相沉积设备,其特征在于:各所述分管由金属材料制成。
15、如权利要求10所述的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述主管为石英管。
16、如权利要求10所述的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述炉管底座内还具有冷却装置。
17、如权利要求16所述的低压化学气相沉积设备,其特征在于:在所述主管与所述炉管底座的相交处具有环形垫圈,且所述环形垫圈与所述冷却装置相邻。
18、如权利要求10所述的低压化学气相沉积设备,其特征在于:在所述主管与所述炉管底座的相交处具有环形垫圈,且所述环形垫圈位于所述炉管底座的外边缘之内。
19、一种化学气相沉积方法,其特征在于,包括步骤:
将衬底放入化学气相沉积设备的炉管内;
将各种气体在所述炉管外进行混合后再通入所述炉管内;
待薄膜生长完成后,停止所述气体的通入;
取出所述衬底。
20、如权利要求19所述的化学气相沉积方法,其特征在于,在通入各种气体的同时,还对所述炉管底座内的气体通路进行冷却。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的