[发明专利]浅沟槽隔离区形成方法及介质层形成方法无效
| 申请号： | 200710094498.2 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459111A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张文广;刘明源;郑春生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 介质 | ||
1.一种浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于，包括：
在半导体基底上形成浅沟槽；
以沉积-刻蚀-沉积工艺沉积隔离分层，所述隔离分层覆盖所述浅沟槽；
对沉积所述隔离分层后的半导体基底执行等离子体修复操作；
重复执行沉积隔离分层的操作及其后的等离子体修复操作，以形成填充所述浅沟槽的隔离层。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述沉积-刻蚀-沉积工艺利用高密度等离子体化学气相淀积工艺进行。
3.根据权利要求1或2所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：执行等离子体修复操作时应用的修复气体包含氢气、氮气、氧气或氩气。
4.根据权利要求1或2所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述修复气体的流量范围为100～500sccm。
5.根据权利要求1或2所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述等离子体修复操作所需等离子体解离功率范围为1000～5000瓦。
6.根据权利要求1或2所述的浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于：所述等离子体修复操作所需等离子体溅蚀功率范围为500～3000瓦。
7.一种介质层形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；
以沉积-刻蚀-沉积工艺沉积介质层分层，所述介质层分层覆盖所述半导体基底；
对沉积所述介质层分层后的半导体基底执行等离子体修复操作；
重复执行沉积介质层分层的操作及其后的等离子体修复操作，以形成所述介质层。
8.根据权利要求7所述的介质层形成方法，其特征在于：所述沉积-刻蚀-沉积工艺利用高密度等离子体化学气相淀积工艺进行。
9.根据权利要求7或8所述的介质层形成方法，其特征在于：执行等离子体修复操作时应用的修复气体包含氢气、氮气、氧气或氩气。
10.根据权利要求7或8所述的介质层形成方法，其特征在于：所述修复气体的流量范围为100～500sccm。
11.根据权利要求7或8所述的介质层形成方法，其特征在于：所述等离子体修复操作所需等离子体解离功率范围为1000～5000瓦。
12.根据权利要求7或8所述的介质层形成方法，其特征在于：所述等离子体修复操作所需等离子体溅蚀功率范围为500～3000瓦。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
