[发明专利]晶体管的测试结构无效
| 申请号： | 200710094408.X | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101452910A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王炯;宋永梁;李森生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 测试 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体管的测试结构，其特征在于，包括：并联在测试晶体管的栅极和衬底之间的电荷储存元件和放电元件，所述电荷储存元件的面积大于所述测试晶体管的面积。
2.根据权利要求1所述的晶体管的测试结构，其特征在于，所述电荷储存元件为NMOS晶体管，其栅极与所述测试晶体管的栅极连接，衬底与所述测试晶体管的衬底连接。
3.根据权利要求1所述的晶体管的测试结构，其特征在于，所述电荷储存元件为PMOS晶体管，其栅极与所述测试晶体管的栅极连接，衬底与所述测试晶体管的衬底连接。
4.根据权利要求1所述的晶体管的测试结构，其特征在于，所述电荷储存元件为电容器。
5.根据权利要求1所述的晶体管的测试结构，其特征在于，所述放电元件为二极管。
6.根据权利要求1所述的晶体管的测试结构，其特征在于，所述放电元件为NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的漏极与测试晶体管的栅极连接、源极与测试晶体管的衬底连接，所述NMOS晶体管的栅极与源极短接。
7.根据权利要求1所述的晶体管的测试结构，其特征在于，所述放电元件为PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极与测试晶体管的栅极连接、漏极与测试晶体管的衬底连接，所述PMOS晶体管的栅极与源极短接。
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