[发明专利]MOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种具有超浅结的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供带有栅极结构的半导体衬底，所述半导体衬底中形成有源极延伸区和漏极延伸区；

以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第一离子注入；

以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第二离子注入，形成源极区、漏极区，所述第二离子注入的离子的原子序数比第一离子注入的离子的原子序数大；

对源极区、漏极区进行退火。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述MOS晶体管的沟道导电类型为n型，所述第一离子注入的离子为P离子，注入能量范围为2至40KeV，剂量范围为1E13至1.5E15cm^-2。

3.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述MOS晶体管的沟道导电类型为n型，所述第二离子注入的离子为As离子，能量范围为5至40KeV，剂量范围为1E15至3E15cm^-2。

4.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述MOS晶体管的沟道导电类型为p型，所述第一离子注入的离子为B离子，注入能量范围为0.5至12KeV，剂量范围为1E13至1E14cm^-2。

5.根据权利要求1或4所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述MOS晶体管的沟道导电类型为p型，所述第二离子注入的离子为In离子，能量范围为10至130KeV，剂量范围为1E15至3E15cm^-2。

6.根据权利要求2或者4所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入为由至少一道离子注入步骤构成。

7.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，退火的温度范围为1000至1100℃，时间为5至60秒。

8.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底中还形成有袋形注入区，所述袋形注入区的导电类型与源极延伸区或漏极延伸区的导电类型相反，且位于源极延伸区和漏极延伸区的下方。

9.根据权利要求1所述的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次位于半导体衬底上的栅介质层、多晶硅层、以及位于半导体衬底上的栅介质层和多晶硅层两侧的侧墙。