[发明专利]曝光方法、光刻方法及通孔的制作方法有效
| 申请号： | 200710094403.7 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101452214A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 邓泽希 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 光刻 制作方法 | ||
1.一种曝光方法，包括在基底上形成光阻层以及通过光罩对于基底上的光阻层进行曝光，其特征在于，在所述曝光过程中调节曝光光源中的各个透镜头的相对角度和相对距离以及调节透镜组内环境气压，增大彗差，以使所获得的相应光阻层开口具有比光罩上的掩模图形更大的面积。
2.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述形成光阻层的方法包括刷法、旋涂法或浸泡法。
3.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光光源为离子束或高压汞灯。
4.一种光刻方法，包括下列步骤，
在基底上形成光阻层；
对于光阻层进行曝光显影形成光阻层开口；
以光阻层为掩膜，在光阻层开口位置对于基底进行蚀刻；
去除光阻层，
其特征在于，在所述曝光过程中调节曝光光源中的各个透镜头的相对角度和相对距离以及调节透镜组内环境气压，增大彗差，以使所获得的相应光阻层开口具有比光罩上的掩模图形更大的面积。
5.如权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述形成光阻层的方法包括刷法、旋涂法或浸泡法。
6.如权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述曝光光源为离子束或高压汞灯。
7.一种通孔的制作方法，其特征在于，包括下列步骤，
提供具有第一金属层的半导体衬底；
在第一金属层上形成阻挡层；
在阻挡层上形成绝缘层；
在绝缘层上形成光阻层；
对于光阻层进行曝光、显影形成光阻层开口；
以光阻层为掩膜，在光阻层开口位置蚀刻绝缘层至曝露出阻挡层形成通孔开口；
在绝缘层上形成第二金属层，并填满通孔开口；
研磨第二金属层至曝露出绝缘层，
其中，在所述曝光过程中调节曝光光源中的各个透镜头的相对角度和相对距离以及调节透镜组内环境气压，增大彗差，以使所获得的相应光阻层开口具有比光罩上的掩模图形更大的面积。
8.如权利要求7所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述阻挡层为钛或氮化钛。
9.如权利要求7所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅。
10.如权利要求7所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述第二金属层为钨。
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