[发明专利]检测掩膜版的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术的测试方法，尤其涉及一种检测掩膜版的方法。 

背景技术

掩膜版半导体技术中用来提供线路图案以便执行图案转移的光罩，在半导体领域需要大量的用到。掩膜板的图案正确与否在半导体器件领域是至关重要的，同样检测掩膜版的图案和性能也相当重要。 

传统的掩膜版图形和颗粒的检测是利用掩膜版专用激光检测仪器来检测，而掩膜版的焦深、能量域值等方面的性能评价是用掩膜版直接来制造产品，再通过产品的良率确认掩膜版是否正常来判断。 

已有的这种方法只能确认掩膜版上是否有较大图形缺陷的问题，而且不仅存在时间周期长的缺点，一般需要1-2个月的周期。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种检测掩膜版的方法，能够在较短的时间内检测掩膜板的性能，并且节约成本。 

为解决上述技术问题，本发明检测掩膜版的方法的技术方案是，包括以下步骤：第一步，能量一定、按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；第二步，焦距一定、按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；第三步，做成检测文件；第四步，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为 良品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；第五步，根据第二步的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域值差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；第六步，综合第四步和第五步的结果判断待检测掩膜版的性能。 

作为本发明的进一步改进是，在第四步中，当不同的焦距下缺陷按一个曝光单元重复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷；当同一个焦距在待测掩膜版上测出大面积缺陷而已知为良品的掩膜没有，则判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围没有已知为良品掩膜版的大；反之，当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版的焦深可允许变化范围比已知为良品的掩膜版的大；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的焦深可允许变化范围是一致的，同时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。 

作为本发明另一种进一步改进是，在第五步中，当不同的能量下缺陷按一个曝光单元重复在同一个位置出现时，判断为待测掩膜版存在的缺陷；当同一个能量在待测掩膜版上测出大面积缺陷而已知为良品的掩膜没有，则判断待测掩膜版的线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的大；反之，当已知良品的掩膜版上测出大面积缺陷而待测掩膜没有，判断待测掩膜版线宽受能量的影响比已知为良品的掩膜版的小；当待测掩膜版和已知为良品的掩膜版都没有缺陷产生，则判断新旧掩膜版的线宽受能量的影响的敏感程度是一致的，同时根据检测结果通过光显确认，判断掩膜版的图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等方面的缺陷。 

本发明利用缺陷检测设备对新旧掩膜版间焦深和能量域值方面进行比较，同时兼顾图形有无开路、短路，线路是否完整，版面有无划伤，污染等掩膜版综合性能的检测。 

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明： 

图1为本发明流程图； 

图2至图5为本发明实施例示意图。 

图中附图标记分别是30为能量一定焦距变化时一个曝光单元，20为能量一定焦距变化时缺陷检测设备查处的受焦深变化影响导致的细微的线宽差异，10为能量一定焦距变化时待测掩膜版的缺陷，300为焦距一定能量变化时一个曝光单元，200为焦距一定能量变化时缺陷检测设备查处的受焦深变化影响导致的细微的线宽差异，100为焦距一定能量变化时待测掩膜版的缺陷。 

具体实施方式

如图1所示，本发明检测掩膜版的包括的步骤为：1，能量一定、按照不同的焦距在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；2，焦距一定、按照不同的能量在光片上同时曝光待检测掩膜版和已知为良品掩膜版的图形；3，根据第一步的曝光结果判断待检测掩膜版与已知为良品的掩膜版的焦深差异，以及掩膜版的图形和颗粒的状况；4，根据第二步的曝光结果判断待检测的掩膜版与已知为良品的掩膜版的能量域值差异， 以及掩膜版的图形和颗粒的状况；5，综合第三步和第四步的结果判断待检测掩膜版的性能。 

如图2至图5所示，本发明的另一实施例包括以下的步骤：