[发明专利]自动检测硅片边缘的方法

权利要求书

1.一种自动检测硅片边缘的方法，所述硅片边缘，即硅片边缘的无图形区域和放弃检测区域，其特征是：该方法包括如下步骤：

第一步，自动缺陷检测仪扫描硅片，并将扫描结果保存为KLARF格式的文件；

第二步，在第一步保存的KLARF文件中加入虚拟晶元，所述虚拟晶元完整地覆盖整个硅片边缘；

第三步，计算硅片边缘的检测点在KLARF文件所采用的坐标系中的坐标；

第四步，将第三步计算的检测点的坐标作为虚拟缺陷加入第二步编辑的KLARF文件中；

第五步，电子扫描显微镜对第四步编辑的KLARF文件中的虚拟缺陷进行自动检测。

2.根据权利要求1所述的自动检测硅片边缘的方法，其特征是：该方法的第一步所保存的KLARF文件，包括硅片上各个真实缺陷的大小和坐标。

3.根据权利要求2所述的自动检测硅片边缘的方法，其特征是：该方法的第四步和第五步之间还包括，电子扫描显微镜根据第一步保存的KLARF文件中的一个或多个真实缺陷的坐标，对第四步编辑的KLARF文件利用相同的真实缺陷的坐标进行校准。

4.根据权利要求1所述的自动检测硅片边缘的方法，其特征是：该方法的第四步，还包括在KLARF文件中设置虚拟缺陷的大小。

5.根据权利要求4所述的自动检测硅片边缘的方法，其特征是：所述在KLARF文件中设置的虚拟缺陷的大小，均大于用于校准的真实缺陷的大小的最大值。

6.根据权利要求1所述的自动检测硅片边缘的方法，其特征是：该方法的第二步编辑的KLARF文件，其实际晶元和虚拟晶元所覆盖的总范围大于硅片实际的范围。

7.根据权利要求1所述的自动检测硅片边缘的方法，其特征是：所述的检测点为一个或多个，所述检测点分布在硅片边缘任意位置。