[发明专利]双扩散场效应晶体管制造方法无效
| 申请号： | 200710094291.5 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447432A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;刘俊文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种双扩散场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在所述硅衬底阱区的位置进行选择性离子注入，形成漂移区；
(2)在所述硅衬底顶部生长一层二氧化硅层；
(3)对所述二氧化硅层进行刻蚀，形成栅氧区域；
(4)在所述栅氧区域内进行生长一层栅氧化层；
(5)在所述二氧化硅层和栅氧化层上再沉积一层栅极多晶硅，形成栅极；
(6)在硅衬底上进行选择性源漏离子注入，形成源漏极。
2、根据权利要求1所述双扩散场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述二氧化硅层与所述栅氧化层的厚度比应大于1.5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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