[发明专利]T型多晶硅栅电极的制备方法有效
| 申请号： | 200710094214.X | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101431020A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 电极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种T型多晶硅栅电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1、先在硅衬底上的栅氧化层上淀积第一层多晶硅；
2、利用负性光刻胶和栅极掩膜版进行对准光刻；
3、利用步骤2中的负性光刻胶图案为掩膜层，对第一层多晶硅层进行注入掺杂；
4、去除负性光刻胶，接着淀积第二层多晶硅；
5、用正性光刻胶和步骤2中的栅极掩膜版进行对准光刻，后干法刻蚀第二层多晶硅和第一层多晶硅，形成T型多晶硅栅电极；
6、去除多晶硅栅电极两边的栅氧化层。
2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1中第一层多晶硅的厚度为：100～1000um，所述步骤4中第二层多晶硅的厚度为：1000～5000um。
3.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3中第一层多晶硅层的掺杂原子为磷原子。
4.按照权利要求1、2和3任一项权利要求中所述制备方法，其特征在于：所述步骤3中第一层多晶硅层注入掺杂工艺中，掺杂剂大于1015原子/立方厘米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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