[发明专利]监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法无效
| 申请号： | 200710094160.7 | 申请日： | 2007-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101418466A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 季伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 监控 外延 反应 设备 参数 变化 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)编辑锗硅淀积程序时将淀积分为不同的步数，每一步淀积的每一层膜不一样，或掺入锗烷，或不掺入锗烷；(2)编辑对应的膜厚测量程序，不掺锗烷的层次监控设备温度，掺锗烷的层次监控锗烷流量；(3)对设备温度、锗烷流量拉偏，画出不同层膜厚随温度、锗烷流量的变化曲线；(4)当测量结果异常时，根据上述膜厚随温度、锗烷流量的变化曲线更改温度、锗烷流量参数，将每一层膜厚调整至目标值。
2、如权利要求1所述的监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法，其特征在于，步骤(1)中，编辑锗硅淀积程序时将淀积分为三步，第一步不掺入锗烷，第二步掺入锗烷，第三步不掺入锗烷。
3、如权利要求1所述的监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法，其特征在于，在步骤(3)和步骤(4)中，测量膜厚时只测中间点的数据。
4、如权利要求1所述的监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法，其特征在于，用来监控的硅片选用的是裸硅衬底片。
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