[发明专利]硅片周边缺口检查方法及装置

权利要求书

1、一种硅片周边缺口检查方法，其特征在于，在待检测的硅片正面上方设置正面激光源、正面传感器，背面下方设置背面激光源、背面传感器，硅片两边的激光源照射硅片的周边位置，正面传感器位于正面激光源照射硅片表面的反射光线路径之上，背面传感器位于背面激光源照射硅片表面的反射光线路径之上；两面的激光源不能直线照射到对面的传感器；硅片旋转一周，周边均经过所述激光源照射，传感器能接收到完整的硅片周边反射的同一面的激光源的较强光信号，遇到有硅片周边有缺口的地方，位于同一面的传感器接收的光信号明显减弱；传感器采集的光信号传送到信号处理系统，信号处理系统根据正面传感器、背面传感器采集到的反射激光信号明显减弱次数及位置判断硅片周边存在的缺口，两个传感器只同时采集到一次反射激光信号明显减弱，表明硅片周边只存在一硅片对准穿透缺口，任何一个传感器采集到超过一次反射激光信号明显减弱，表示硅片周边存在异常缺口。

2、根据权利要求1所述的硅片周边缺口检查方法，其特征在于，激光源照射硅片边缘3mm到5mm的位置。

3、根据权利要求1所述的硅片周边缺口检查方法，其特征在于，两个传感器同时采集到的反射激光信号明显减弱超过一次的次数表示硅片周边存在的异常穿透缺口的个数。

4、根据权利要求1所述的硅片周边缺口检查方法，其特征在于，单个传感器采集到的反射激光信号明显减弱超过一次的次数表明硅片相应面周边存在异常缺口的个数。

5、根据权利要求1所述的硅片周边缺口检查方法，其特征在于，当检测到硅片周边异常缺口时，信号处理系统给出报警信号。

6、根据权利要求1至4任一项所述的硅片周边缺口检查方法，其特征在于，所述正面激光源、正面传感器、背面激光源、背面传感器，安装在常规硅片对准装置的检测槽上下两面，在硅片对准的同时同步检查硅片周边缺口。

7、根据权利要求1至4任一项所述的硅片周边缺口检查方法，其特征在于，所述正面激光源、正面传感器、背面激光源、背面传感器，安装在常规宏观检查设备上，在对硅片进行常规宏观检查的同时检查硅片周边缺口。

8、一种硅片周边缺口检查装置，其特征在于，包括正面激光源、正面传感器、背面激光源、背面传感器、检测槽、硅片承载部件、信号处理系统，检测槽内的上面安装正面激光源和正面传感器，检测槽内的下面安装背面激光源和背面传感器，正面激光源和背面传感器、背面激光源和正面传感器在检测槽的同一侧；硅片承载部件放置待检测硅片，使部分硅片周边置于检测槽内；信号处理系统接收传感器采集到的光信号，根据硅片旋转一周正面传感器、背面传感器采集到的反射激光信号明显减弱次数判断硅片周边存在的缺口。

9、根据权利要求8所述的硅片周边缺口检查装置，其特征在于，激光源光束宽度为3mm到5mm。

10、根据权利要求8所述的硅片周边缺口检查装置，其特征在于，当检测到硅片周边异常缺口时，信号处理系统发出报警信号。

11、根据权利要求8、9或10所述的硅片周边缺口检查装置，其特征在于，所述检测槽、硅片承载部件为常规硅片对准装置的检测槽及承载台。

12、根据权利要求8、9或10所述的硅片周边缺口检查装置，其特征在于，所述检测槽安装在常规宏观检查设备上。