[发明专利]数字增益控制方法及电路无效
申请号: | 200710094041.1 | 申请日: | 2007-08-24 |
公开(公告)号: | CN101373957A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 杜定坤;魏述然 | 申请(专利权)人: | 锐迪科创微电子(北京)有限公司 |
主分类号: | H03G3/00 | 分类号: | H03G3/00;H03G7/06;H04B1/40 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 100086北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数字 增益 控制 方法 电路 | ||
1.一种数字增益控制方法,通过N位二进制数字增益控制码控制可变增益放大器中的可变电阻的阻值进行可变增益放大器的增益调节,其特征在于,用MOS晶体管阵列作为可变电阻,利用晶体管的源漏极间的导通电阻和栅极电压的关系来控制可变电阻值,由增益控制模块根据N位二进制数字增益控制码产生MOS晶体管阵列的各个晶体管的栅极电压;增益控制模块利用模数转换器将N位二进制数字增益控制码中的低m位用数模变换器转换为输出控制电压,高(N-m)位变换为温度计码;所述温度计码的2(N-m)个码元分别控制2(N-m)个多路选择器的电压输出,各多路选择器的第一个输入为所述模数转换器的输出控制电压,第二个输入为所述数模变换器的最大输出电压,第三个输入为所述数模变换器的最小输出电压,2(N-m)个多路选择器的输出电压控制所述晶体管阵列的相应2(N-m)行晶体管的栅极电压;如果该温度计码的码元为0,则该码元相对应的多路选择器的输出电压为数模变换器的最小输出电压,如果该码元为1,则进一步判断低m位是否已经发生了溢出,如果已经发生了溢出,则该码元相对应的多路选择器的输出电压为数模变换器的最大输出电压,如果还未发生溢出,则该码元相对应的多路选择器的输出电压为所述数模变换器的输出控制电压,m为正整数,N为大于m的正整数。
2.根据权利要求1所述的数字增益控制方法,其特征在于,所述数模变换器为电阻型的数模变换器。
3.根据权利要求1所述的数字增益控制方法,其特征在于,数字增益控制码为9位二进制码,低6位用数模变换器转换为输出控制电压,高3位变换为8位温度计码码元。
4.一种数字增益控制电路,包括一可变增益放大器,所述可变增益放大器中接有可变电阻,调节所述可变电阻的阻值可调节可变增益放大器的增益,其特征在于,还包括数模变换器、温度计译码器、多路选择器、选择控制电路、MOS晶体管阵列,数模变换器将N位二进制数字增益控制码的低m位转换为输出控制电压,温度计译码器将N位二进制数字增益控制码的高(N-m)位变换为温度计码,选择控制电路根据低m位溢出判断和2(N-m)个温度计码码元值输出选择控制信号分别接2(N-m)个多路选择器的选择控制端,多路选择器第一个输入端接数模变换器的输出控制电压,第二个输入端接数模变换器的最大输出电压,第三个输入端接数模变换器的最小输出电压,2(N-m)个多路选择器的输出端分别接2(N-m)行MOS晶体管的栅极,2(N-m)行MOS晶体管的源极、漏极并接,源漏极间的导通电阻作为所述可变增益放大器中的可变电阻,m为正整数,N为大于m的正整数。
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