[发明专利]监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法

权利要求书

1.一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，其特征在于，该方法是在安装完基座之后，采用如下步骤：

(1)在硅片上淀积一层多晶锗硅膜；

(2)在多个与基座中心位置等距离的环带上取等间隔的点，测量各个点上的多晶锗硅膜的厚度；

(3)判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，如果均匀则判定基座安装已经中心化，否则需要开腔重新安装基座。

2.如权利要求1所述的监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，其特征在于，步骤(3)所述的判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，是根据步骤(2)中所述的各个点的位置与测量出的厚度画出多晶锗硅膜的厚度分布图，若厚度分布图呈环状分布，则判定均匀，若厚度分布图呈一边厚一边薄分布，则判定为不均匀。

3.如权利要求1或2所述的监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，其特征在于，步骤(2)中所述的厚度，若厚度标准偏差百分比在3％以上，则需通过加热功率分配设置将厚度偏差调低以后再进行判断，若无法将厚度标准偏差百分比调低至小于3％，则判定需要开腔重新安装基座。