[发明专利]三维微结构及其形成方法

权利要求书

1、一种三维微结构，其通过一顺序构造工艺形成，所述三维微结构包含：

一第一微结构元件，其包含一介电材料并具有一至少部分贯穿而延伸的孔；

一第二微结构元件，其包含一金属材料；

在该孔中的一金属材料，其将该第一微结构元件固定在该第二微结构元件上；以及

一非固体空间，该第一微结构元件和/或该第二微结构元件暴露于该非固体空间。

2、如权利要求1所述的三维微结构，其特征在于，它还包含：一基底，该第一和第二微结构元件布置在该基底上。

3、如权利要求1所述的三维微结构，其特征在于，该微结构包含一同轴传输线，该同轴传输线包含一中心导体、一外部导体和用于支撑该中心导体的介电支撑构件，其中，该介电支撑构件是该第一微结构元件，该内部导体和/或该外部导体是该第二微结构元件。

4、如权利要求3所述的三维微结构，其特征在于，该非固体空间是在真空下或处于气态，并且在该中心导体和该外部导体之间布置该非固体空间。

5、如权利要求3所述的三维微结构，其特征在于，该同轴传输线具有一大致矩形的同轴几何形状。

6、如权利要求1所述的三维微结构，其特征在于，该孔从该第一微结构元件的第一表面至其第二表面完全延伸穿过该第一微结构元件。

7、如权利要求1所述的三维微结构，其特征在于，该孔具有一凹入形状。

8、如权利要求9所述的三维微结构，其特征在于，该第二微结构元件的金属材料和在该孔中的金属材料是相同的材料。

9、一种通过一顺序构造工艺形成三维微结构的方法，该方法包括：

在一基底上布置多个层，其中，所述层包含一层介电材料、一层金属材料和一层牺牲材料；

形成一第一微结构元件，该第一微结构元件包含该介电材料并具有至少部分贯穿而延伸的孔；

形成一第二微结构元件，该第二微结构元件包含该金属材料；

在该孔中沉积一金属材料，以将该第一微结构元件固定在该第二微结构元件上；以及

去除该牺牲材料以形成一非固体空间，该第一微结构元件和/或该第二微结构元件暴露于该非固体空间。

10、如权利要求9所述的方法，其特征在于，该微结构包含一同轴传输线，该同轴传输线包含一中心导体、一外部导体和用于支撑该中心导体的介电支撑构件，其中，该介电支撑构件是该第一微结构元件，该内部导体和/或该外部导体是该第二微结构元件。