[发明专利]一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法

权利要求书

1.一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，其特征在于：它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)照射在待测LED芯片(2)/晶圆的PN结(1)上，PN结(1)上形成的自发光(3)由会聚透镜组(6)会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片/晶圆的检测。

2.如权利要求1所述的LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，其特征在于：所述光源(7)为与待测LED一样的LED光源或者波长小于待测LED波长的一切光源；对于LED芯片的检测，所述激励光束(4)为静态光或脉冲光；对于LED晶圆的检测，所述激励光束(4)为静态光，当静态光照射在待测LED晶圆的所有PN结上，所述光电转换器(8)为面阵列光电检测元件；当静态光顺序扫描逐个照射在LED晶圆的每个PN结上，所述光电转换器(8)为普通光电转换器。

3.一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，其特征在于：它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上，光照的同时，将所述PN结置于交变的磁场(11)中，PN结(1)上形成的交变自发光(3)由会聚透镜组(6)会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入所述检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片/晶圆的检测。

4.如权利要求3所述的LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，其特征在于：所述激励光束(4)是静态光；产生交变磁场(11)的交变磁场产生器(10)与所述检测控制和信号采集处理单元(9)电连接；检测LED晶圆时，当静态光照射在待测LED晶圆的所有PN结上，所述光电转换器(8)为面阵列光电检测元件；当静态光顺序扫描逐个照射在LED晶圆的每个PN结上，所述光电转换器(8)为普通光电转换器。

5.如权利要求1、2、3或4所述的LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，其特征在于：所述检测控制和信号采集处理单元包括信号调理电路、模/数转换电路、CPU、显示器、光源控制波形产生电路和光源驱动电路；其中信号调理电路的输出端与模/数转换电路的输入端相连；模/数转换电路的输出端与CPU的输入端相连；CPU的输出端分别与模/数转换电路、光源控制波形产生电路和显示器的输入端相连；光源控制波形产生电路的输出端与光源驱动电路的输入端相连；工作时，信号调理电路与光电转换器电连接，光源驱动电路控制光源产生激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上。

6.一种LED芯片的非接触式检测方法，其特征在于：它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)透射过半透/半反镜组(12)，照射在待测LED芯片(2)的PN结(1)上，半透/半反镜组(12)又将PN结(1)上形成的自发瞬态光(3)反射至会聚透镜组(6)，会聚透镜组(6)再将光束会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片的检测。

7.如权利要求6所述的LED芯片的非接触式检测方法，其特征在于：所述激励光束(4)为脉冲光；所述检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)垂直入射半透/半反镜组(12)，透射过半透/半反镜组(12)的光束垂直照射在所述待测LED芯片(2)的PN结(1)上。

8.如权利要求6所述的LED芯片的非接触式检测方法，其特征在于：所述检测控制和信号采集处理单元包括信号调理电路、模/数转换电路、CPU、显示器、光源控制波形产生电路和光源驱动电路；其中信号调理电路的输出端与模/数转换电路的输入端相连；模/数转换电路的输出端与CPU的输入端相连；CPU的输出端分别与模/数转换电路、光源控制波形产生电路和显示器的输入端相连；光源控制波形产生电路的输出端与光源驱动电路的输入端相连；工作时，信号调理电路与光电转换器电连接，光源驱动电路控制光源产生激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上。